Установка для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации в гарнисаже

Владимир Иванович Таранюк; Александр Вульфович Гектин; Александр Владимирович Колесников

doi:10.15587/1729-4061.2014.21059

Автор(и)

Владимир Иванович Таранюк Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001, Ukraine https://orcid.org/0000-0001-6626-2642
Александр Вульфович Гектин Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001, Ukraine https://orcid.org/0000-0002-1733-0343
Александр Владимирович Колесников Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001, Ukraine https://orcid.org/0000-0001-7095-9215

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.21059

Ключові слова:

метод спрямованої кристалізації, гарнісажний метод, кристал, лабораторна установка, вирощування кристалу

Анотація

Розглядається лабораторна установка для вирощування галоїдних кристалів діаметром 40 мм висотою 15 мм з температурою плавлення до 900°С методом спрямованої кристалізації в гарнісажі. Показана схема системи управління і конструкція теплового вузла. На прикладі кристалів LiF і PbF₂ описана процедура вирощування і показано, що метод є ефективним для вирощування лабораторних кристалів.

Біографії авторів

Владимир Иванович Таранюк, Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001

Завідувач сектору впровадження технології вирощування монокристалів

Александр Вульфович Гектин, Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001

Доктор фізико-математичних наук

Заступник директора з науки

Александр Владимирович Колесников, Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001

Кандидат технічних наук

Заступник завідувача відділу технології вирощування монокристалів

Посилання

Bridgman, P. W. Certain physical properties of single crystals of tungsten, antimony, bismuth, tellurium, cadmium, zinc and tin [Text] / P. W. Bridgman // Proc. Am. Acad. – 1925. – Vol. 60. – P. 305-383.

Kyropoulos, S. Ein Verfahren zur Herstellung grosser Kristalle [Text] / S. Kyropoulos // Anorg Z. Chem. – 1926. – Т. 154. – С. 308-31.

Fukuda, T. Shaped Crystals Growth by Micro-Pulling-Down Technique [Text] / T. Fukuda, V. I. Chani // Springer. – 2007. – XV. – 341 с.

Uda, S. Analysis of Ge distribution in Si1 − xGex single crystal fibers by the micro-pulling down method [Text] / S. Uda, J. Kon, K. Shimamura, T. Fukuda // J Cryst Growth. – 1996. – Т. 167. – С. 64-73.

Mueller, M. Device for making monocrystalline or multicrystalline materials, in particular multicrystalline silicon [Text] / M. Mueller, M. Finkbeiner, U. Sahr, I. Schwirtlich // patent US 7,811,383 B2 2010.

Kisil, I. I. Growing of NaI:Tl crystal plates in garnissage [Text] / I. I. Kisil, V. I. Taranyuk, S. V. Yaroslavkin // Funct Mater. – 2008. – Т. 15(4). – С. 600-603.

Taranyuk, V. NaI(Tl) and CsI(Tl) scintillation crystal growth by skull method [Text] / V. Taranyuk, A. Gektin, I. Kisil, A. Kolesnikov // J Cryst Growth. – 2011. – Т. 318(1). – С. 820-822.

Неуструев, А. А. Вакуумные гарнисажные печи [Text] / А. А. Неуструев, Г.Л. Ходоровский // М.: Металлургия. – 1967. – 272 с.

Kuz’minov, Yu S. Cubic Zirconia and Skull Melting [Text] / Yu S. Kuz’minov, E. E. Lomonova, V. V. Osiko // Cambridge International Science Publishing. –2008. – 420 с.

Ren, G. Structural defects and characteristics of lead fluoride (PbF2) crystals grown by non-vacuum Bridgman method [Text] / G. Ren, D. Shen, S. Wang, Z. Yin // J Cryst Growth. – 2002. – Т. 243. – С. 539-545.

Bridgman, P. W. (1925). Certain physical properties of single crystals of tungsten, antimony, bismuth, tellurium, cadmium, zinc and tin. Proc Am Aca, 60, 305-383.

Kyropoulos, S. (1926). Ein Verfahren zur Herstellung grosser Kristalle. Anorg Z Chem, 154, 308-311.

Fukuda, T., Chani, V. I. (2007). Shaped Crystals Growth by MicroPulling-Down Technique. Springer, XV, 341.

Uda, S., Kon, J., Shimamura, K., Fukuda, T. (1996). Analysis of Ge distribution in Si1 − xGex single crystal fibers by the micro-pulling down method. J Cryst Growth, 167, 64-73.

Mueller, M., Finkbeiner, M., Sahr, U., Schwirtlich, I., (2010). Patent US 7,811,383 B2 2010. Device for making monocrystalline or multicrystalline materials, in particular multicrystalline silicon.

Kisil, I. I., Taranyuk, V. I., Yaroslavkin, S. V., (2008). Growing of NaI:Tl crystal plates in garnissage. Funct Mater, 15(4), 600-603.

Taranyuk, V., Gektin, A., Kisil, I., Kolesnikov, A. (2011). NaI(Tl) and CsI(Tl) scintillation crystal growth by skull method. J Cryst Growth, 318(1), 820-822.

Neustruev, A. A. (1967). Vacuum skull furnace. Moscow, USSR: Metallurgy, 272.

Kuz’minov, Yu S., Lomonova, E. E., Osiko, V. V. (2008). Cubic Zirconia and Skull Melting. Cambridge International Science Publishing, 420.

Ren, G., Shen, D., Wang, S., Yin, Z. (2002). Structural defects and characteristics of lead fluoride (PbF2) crystals grown by nonvacuum Bridgman method. J Cryst Growth, 243, 539-545.