Регрессионный анализ параметров кремниевых монокристаллических и пленочных аморфных фотопреобразователей
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3304Ключові слова:
аморфні, монокристалічний кремній, сонячний елемент, фотоперетворенняАнотація
У роботі відображені результати досліджень, виконаних у Харківському національному університеті радіоелектроніки, пов’язаних з розробкою і застосуванням статистичних регресійних моделей стосовно до кремнієвих монокристалічних ФП зі структурою n +-p-p +, а також до аморфних ФП.Посилання
Слипченко Н.И. Регрессионные технологические модели кремниевых монокристаллических фотопреобразователей./ Слипченко Н.И., Письменецкий В.А., Фролов А.В., Яновская Н.Н. // Известия вузов. Радиоэлектроника, НТУУ «КПИ», 2008, том 51, № 11. С. 41-49.
Патент на винахід № 86167 від 25.03.2009 р. Пристрій для контролю параметрів фотоелектричних перетворювачів. Сліпченко М.І., Письменецький В.О., Кирилюк А.А., Яновська Н.М., Фролов А.В. Бюл. № 1, 2009 р.
Бойко Б.Т. Дослідження плівкових сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au./ Бойко Б.Т., Хрипунов Г.С., Меріуц А.В., Черних Е.П. // Фізика і хімія твердого тіла, Т.6, № 2 (2005) с.295-298.
Биков М.А. Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре α - Si : H / c – Si./Быков М.А., Быков А.М., Зуев С.А., Мазинов А.С., Слипченко Н.И., Унжаков Д.А. //Прикладная радиоэлектроника, 2008, Том 7, №1.
Голикова О.А. Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. / Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Казанин М.М. // Физика и техника полупроводников, 1997, Том 31, № 7, с. 816-819.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Николай Иванович Слипченко, Виктор Александрович Письменецкий, Андрей Витальевич Фролов, Николай Викторович Герасименко
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
