Дослідження мікронеоднорідності розподілу домішки в монокристалах кремнію
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.56909Ключові слова:
кремній, фронт кристалізації, монокристал, домішка, неоднорідність, страти, мікросхема, концентрація, переохолодження, фазаАнотація
Виконано аналіз утворення стратової неоднорідності за рахунок накопичення домішки в розплаві у фронту кристалізації при вирощуванні монокристалів кремнію і розглянута модель прискореної кристалізації цієї області розплаву. Для усунення або значного зниження умов утворення страт, пропонується застосовувати режими вирощування монокристалів при високих швидкостях, що виключить накопичення домішки у фронту кристалізації і забезпечить однорідний її розподіл за об'ємом монокристала.
Посилання
Zakon Mura i ego vliyanie na mikroprotsessoryi. Sozdaem svoy protsessor. Available at: http://www.igromania.ru/articles/46496/Zakon_Mura_i_ego_vliyanie_na_mikroprocessory.htm
Friedrich, J., Stockmeier, L., Muller, G. (2013). Constitutional Supercooling in Czochralski Growth of Heavily Doped Silicon Crystals. Acta Physica Polonica, 124 (2), 219–226. doi: 10.12693/aphyspola.124.219
Galindo, V., Niemietz, K., Pätzold, O., Gerbeth, G. (2012). Numerical and experimental modeling of VGF-type buoyant flow under the influence of traveling and rotating magnetic fields. Journal of Crystal Growth. 5th International Workshop on Crystal Growth Technology, 360, 30–34. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2011.09.035
Patent RU 2257428. Byivalyiy. Sposob polucheniya odnorodnyih mono-kristallov. pulished 27.07.2005. Byul. № 2. Available at: http://www.freepatent.ru/images/patents/211/2257428/patent-2257428.pdf (Last accessed: 15.09.2014).
Dumitrica, S., Vizman, D., Garandet, J.-P., Popescu, A. (2012). Numerical studies on a type of mechanical stirring in directional solidification method of multicrystalline silicon for photovoltaic applications. Journal of Crystal Growth, 360, 76–80. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2012.01.011
Iino, E., Takano, K., Fusegawa, I., Yamagishi, H. Formation of interstitial oxygen striations in cz grown silicon single crystals. Available at: http://books.google.ru/books?id=p4OJQlKloOoC&pg=PA148&lpg=PA148&dq=Striations+in+the+single-crystals+of+silicon&source=bl&ots=pnkfQXVhDF&sig=O0rzDRWDplSFJi0qbGo-WUlJlyE&hl=ru&sa=X&ei=PZ1kU9ahDqrzyAOfz4GQAw&ved=0CD0Q6AEwAg#v=onepage&q=Striat&f=false (Last accessed: 15.10.2015).
Sluchinskaya, I. A. (2002). Osnovyi materialovedeniya i tehnologii polupro-vodnikov. Moscow: Nauka, 376. Available at: http://www.twirpx.com/file/96095/ (Last accessed: 17.08.2014).
Chervonyi, I. F., Rekov, Y. V., Shvets, E. Ya., Golovko, O. P., Golovko, V. Yu., Egorov, S. G. (2014). The tunneling Phenomenon of crystallization of solid state materials in another (the effect Chervony). Scientific discovery –2013. Acollection of short descriptions of scientific discoveries, scientific ideas, scientific hypotheses. Moscow: Academy of natural Sciences, 31–33.
Bagdasarov, H. S. (2004). High-Temperature crystallization from the melt. Moscow: FIZMATLIT, 160.
Fal'kevich, Je. S., Pul'ner, Je. O., Chervonyj, I. F., Shvarcman, L. Ja., Jarkim, V. N., Salli, I. V., Pul'ner, Je. O., Chervonyj, I. F. (1992). Tehnologija poluprovodnikovogo kremnija. Moscow: Metallurgija, 408.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Иван Федорович Червоный, Ольга Петровна Головко
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
