About the role of melt movement during of the silicon single crystal growth by FZ method

Authors

  • Сергей Геннадьевич Егоров Zaporozhye state engineering academy, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4729

Keywords:

Floating-zone melting, melt movement

Abstract

In work the conditions of occurrence of convection in the melted zone during growth of silicon single crystals by the floating zone melting method was investigate. It are fix, that streams in the melted zone (thermogravitational, centrifugal, thermocapillary and electrodynamic) influenced on distribution of impurity in the melt and, hence, defined quality of end production

Author Biography

Сергей Геннадьевич Егоров, Zaporozhye state engineering academy

Associate professor

Department of non-ferrous metallurgy

References

  1. Фалькевич, Э.С. Технология полупроводникового кремния [Текст] / Э.С. Фалькевич, Э.О. Пульнер, И.Ф. Червоный и др.; под ред. Э.С. Фалькевича. – М.: Металлургия. – 1992. – 408 с. – Библиогр.: с. 399-407. – 1170 экз. – ISBN 5-229-00740-0.
  2. Червоний, І.Ф. Напівпровідниковий кремній: теорія і технологія виробництва [Текст] : монографія / І.Ф. Червоний, В.З. Куцова, В.І. Пожуєв та інш.; під ред. І.Ф. Червоного. – 2-ге вид., допрацьоване та перероблене. – Запоріжжя: ЗДІА, 2009. – 488 с. – Библиогр.: с. 446-484. – 300 прим. – ISBN 978-966-8462-24-5.
  3. Червоный, И.Ф. Применение безразмерных критериев для описания состояния расплава кремния при БЗП [Текст] : сб. трудов ЗГИА / И.Ф. Червоный, С.Г. Егоров, В.О. Масленников // Металлургия. – 2002. – Вып. № 6. – С.90-94.
  4. Егоров, С.Г. Описание движения расплава кремния при бестигельной зонной плавке [Текст] / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Г.А. Колобов, А.П. Никоненко // материалы Международной конференции «Наука о материалах на рубеже веков: Достижения и Перспективы», 4-8 ноября 2002, Киев. – С.143-144.
  5. Егоров, С.Г. Уменьшение влияния тепловой конвекции на качество монокристаллов кремния [Текст] : зб. праць ЗДІА / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Металургія. – 2009. – Вип. № 19. – С.81-86.
  6. Єгоров, С.Г. Вплив потоків в розплаві на розподіл домішки під час безтигельного зонного плавлення [Текст] : зб. праць ЗДІА / С.Г. Єгоров, Е.Я. Швець, І.Ф. Червоний, О.П. Головко // Металургія. – 2005. – Вып. №12. – С.57-62.
  7. Червоный, И.Ф. К вопросу о взаимосвязи однородности монокристаллов кремния и потоков расплава в процессе БЗП [Текст] / И.Ф. Червоный, С.Г. Егоров, Е.Я. Швец // материалы Международной конференции «Стратегия качества в промышленности и образовании», 3-10 июня 2005, Варна, Болгария. – С.129-130.
  8. Егоров, С.Г. Исследование электромагнитных полей плавильного и подогревающего индукторов при бестигельной зонной плавке [Текст] / С.Г. Егоров, И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец // Современная электрометаллургия. – № 2. – 2003. – С.34-36.
  9. Червоный, И.Ф. Магнитное поле плавильного и подогревного индукторов при бестигельной зонной плавке [Текст] : сб. трудов ЗГИА / И.Ф. Червоный, С.Г. Егоров // Металлургия. – 2003. – Вып. № 7. – С.60-64.
  10. Егоров, С.Г. Конвекционные течения в расплавах полупроводников [Текст] : монография / С.Г. Егоров, В.И. Пожуев, И.Ф. Червоный. – Запорожье: ЗГИА, 2007. – 155 с. – Библиогр.: с. 139-152. – 300 прим. – ISBN 978-966-7101-82-4.

How to Cite

Егоров, С. Г. (2012). About the role of melt movement during of the silicon single crystal growth by FZ method. Technology Audit and Production Reserves, 3(1(5), 19–20. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4729