Influence of impurity on the life period of the charge in silicon single crystals

Authors

  • Олександр Костянтинович Головко Zaporozhye engineering academy, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4735

Keywords:

Silicon, oxygen, carbon, life period

Abstract

In article on the basis of experimental researches it is established, that on the life period of the nonequilibrium charge carriers in the silicon single crystals which has been growing in industrial conditions, the greatest influence renders  the ratio of concentration of impurity of oxygen and carbon

Author Biography

Олександр Костянтинович Головко, Zaporozhye engineering academy

Student

References

  1. Швец, Е.Я. Монокристаллический кремний – основной материал для солнечных элементов [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2006. – Вип. 14. – С. 120-127.
  2. Швец, Е.Я. Развитие технологии кремниевого сырья для изготовления солнечных батарей [Текст] / Е.Я. Швец, О.П. Головко., И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр // Теория и практика металлургии, 2006. – № 6. – С. 44-49.
  3. Червоный, И.Ф. Особенности технологии материалов для солнечной энергетики [Текст] тез. докл. II Международной конференции, 2-9 июня 2006 г./ И.Ф. Червоный, Р.Н. Воляр, Е.Я. Швец, А.С. Голев // Стратегия качества в промышленности и образовании. - Варна, Болгария, 2006. – Том 1. – С. 294-299.
  4. Швец, Е.Я. Технологии и материалы солнечной енергетики [Текст] / Евгений Яковлевич Швец. – Запоріжжя: ЗДІА, 2007. – 239 с.
  5. Швец, Е.Я. Анализ технологий производства поликристаллического кремния для солнечных элементов [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2007. – Вип. 15. –С. 92-98.
  6. Швец, Е.Я. Технологии поликристаллического кремния для солнечных элементов [Текст] / Е.Я. Швец // Металлургическая и горнорудная промышленность. – 2007. – № 1. – С. 15-20.
  7. Швец, Е.Я. Анализ технологий производства поликристаллического кремния для солнечных элементов [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2007. – Вип. 15. –С. 92-98.
  8. Головко, Ю.В. Модернизация тепловой системы для выращивания монокристаллов кремния [Текст] / Ю.В. Головко, А.С. Голев, А.Б. Комаров, Е.Я. Швец, С.Г. Егоров, Р.Н. Воляр // Теория и практика металлургии, 2008. - №2 (63). – С.20-23.
  9. Технические условия: ГОСТ 19658-81. Кремний монокристаллический в слитках [Текст]. – Чинний від 01.01.81. – М.: Изд-во стандартов, 1981. – 72 с.
  10. Швець, Є.Я. Вплив комплексоутворення на коефіцієнти розподілу домішок у процесі вирощування монокристалів кремнію [Текст] : зб. наук. пр. / Є.Я. Швець, Ю.В Головко. // Металургія. – Запоріжжя: ЗДІА, 2011. – Вип. 25. – С. 124 – 131.

Downloads

How to Cite

Головко, О. К. (2012). Influence of impurity on the life period of the charge in silicon single crystals. Technology Audit and Production Reserves, 3(1(5), 31–32. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4735

Issue

Vol. 3 No. 1(5) (2012): INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE. Fundamental research

Section

Fundamental research

License

Copyright (c) 2016 Олександр Костянтинович Головко

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.