Синтез Ti-Si и Ti-Si-N покрытий конденсациейфильтрованной вакуумно-дуговой плазмы - Аксёнов, Д. С.; Аксёнов, И. И.; Лучанинов, А. А.; Решетняк, Е. Н.; Стрельницкий, В. Е. (Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2009)
Исследовалось осаждение Ti-Si и Ti-Si-N покрытий, синтезируемых с применением вакуумно-дугового источника фильтрованной плазмы с расходуемым титан-кремниевым катодом. Толщина плёнок и содержание компонентов в них определялись методом рентгено-флюоресцентного анализа. Установлено, что путём регулировки параметров процесса осаждения (давления рабочего газа в реакционном объёме установки, отрицательного потенциала смещения на подложке, напряжённости и формы распределения магнитных полей в плазменном источнике) концентрацию кремния в конденсате можно изменять в широких пределах – от нуля до максимального значения, определяемого его содержанием в катоде