Особливості формування омічних контактів на основі арсеніду галію
DOI:
https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4737Ключові слова:
мікроелектронна композиція, омічний контакт, режими термообробки, арсенід галію.Анотація
Розроблено модель формування мікроелектронної композиції Ag-Ge-In/n-GaAs (111), яка враховує умови термообробки і дозволяє встановити залежність між параметрами омічного контакту та режимами термообробки.Посилання
- Швец, Е.Я. Технологии и материалы солнечной энергетики [Текст] : монография / Е.Я. Швец. – Запорожье: ЗГИА. – 2007. – 240с.
- Швец, Е.Я. Технологические особенности квазиомических контактов для солнечных элементов. [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Л.Б. Дмитриева, Ф. Каек // Металургія. – Вип. 16. – Запоріжжя, ЗДІА. – 2007. – С.74-78.
- Швец, Е.Я. Исследование солнечных элементов с барьерами Шоттки [Текст] / Е.Я. Швец, Л.Б. Дмитриева, Ф. Каек. // Тезисы докл. на ХII НТК студентів, магістрантів та викладачів ЗДІА. – Т.3. – Запоріжжя, ЗДІА. – 2007. – С.94-95.
- Швец, Е.Я. Влияние режимов термообработки на структуру переходного слоя омических контактов [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Л.Б.Дмитриева, В.С. Дмитриев // Металургія. – Вип. 2(25). – Запоріжжя, ЗДІА. – 2011. – С.120-124.
- Швец Е.Я. Исследование влияния межфазной границы раздела на высоту барьера Шоттки [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я.Швец, Л.Б.Дмитриева, В.С. Дмитриев // Металургія. – Вип. 1(26). – Запоріжжя, ЗДІА. – 2011. – С.126-130.
- Швец, Е.Я. Исследование влияния поверхностных состояний на показатели качества и технологичности структур Me-GaAs [Текст] : зб. наук. пр. / Е.Я. Швец, Л.Б. Дмитриева, В.С Дмитриев // Металургія. – Вип. 2(27). – Запоріжжя, ЗДІА. – 2012. – С.138-142.
- Дмитриев, В.С. Особенности технологии изготовления микроэлектронного датчика [Текст] / В.С. Дмитриев, Е.Я. Швец //Материалы 15 Юбилейного Международного молодежного форума «Радиоэлектроника и молодежь в ХХI веке». – том 1. – Харьков, ХНУРЭ. – 2011. – С.46-47
- Дмитриев, В.С. Исследование влияния на качество омического контакта режимов термообработки [Текст] / В.С.Дмитриев, Л.Б. Дмитриева //Тезисы докл. на ХVI НТК студентів, магістрантів та викладачів ЗДІА. – Т.3. – Запоріжжя, ЗДІА. – 2011. – С.23
##submission.downloads##
Опубліковано
2012-09-18
Як цитувати
Дмитрієв, В. С. (2012). Особливості формування омічних контактів на основі арсеніду галію. Technology Audit and Production Reserves, 3(1(5), 35–36. https://doi.org/10.15587/2312-8372.2012.4737
Номер
Розділ
Фундаментальні дослідження
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Технологічний аудит та резерви виробництва
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
