Електронна структура Ag<sub>2</sub>SiS<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.39.12-22Ключові слова:
електронна зонна структура, густина станів, теорія функціонала густини, просторовий розподіл валентного заряду, хімічний зв'язокАнотація
Вперше ab initio методом функціонала густини в LDA і LDA+U-наближеннях розраховані енергетична зонна структура, повна і парціальні густини станів кристала Ag2SiS3. Даний кристал є непрямозонним напівпровідником з розрахованою в LDA+U-наближенні шириною забороненої зони Egd = 2.55 еВ. Валентна зона Ag2SiS3 містить чотири енергетично відокремлені групи заповнених підзон. Особливістю будови електронно-енергетичної структури кристала Ag2SiS3 є перекривання по енергії заповнених d-станів атомів Ag, з делокалізованими валентними станами p-симетрії атомів сірки у відносній близькості до вершини валентної зони.Посилання
Boivin J.-C., Thomas D., Tridot G. Contribution a l'etude des systemes: sulfure de silicium et sulfure de cuivre ou d'argent // C. R. Acad. Sci. Ser. C. – 1967. – V. 264. – P. 1286–1289.
Gоrochov O., Flahaut J. Les composes Ag8MX6 avec M = Si, Ge, Sn et X = S, Se, Te // C. R. Acad. Sci. Ser. C. – 1967. – V. 264. – P. 2153–2155.
Mandt J., Krebs B. Darstellung, Struktur und Eigenschaften von Ag10Si3S11 // Z. Anorg. Allg. Chem. – 1976. – V. 420, № 1. – P. 31–39.
Venkatraman M., Blachnik R., Schlieper A. The phase diagrams of M2X-SiX2 (M is Cu, Ag; X is S, Se) // Thermochim. Acta. – 1995. – V. 249. – P. 13–20.
Кохан О.П. Взаємодія у системах Аg2Х–ВIVХ2 (BIV– Si, Ge, Sn; X–S, Se) і властивості сполук : автореф. дис. … канд. хім. наук / Ужгород. держ. ун-т. – Ужгород, 1996. – C. 21.
Pradel A., Taillades G., Ribes M., Eckert H. 29Si NMR structural studies of ionically conductive silicon chalcogenide glasses and model compounds // J. Non-Cryst. Solids. – 1995. – V. 188, № 1–2. – P. 75–86.
Peng H., Machida N., Shigematsu T. Preparation of silver ion conducting amorphous materials in the system Ag2S–SiS2 by mechanical milling processes // J. Mater. Chem. – 2002. – V.12. – P. 1094–1098.
Zhbankov O., Fedorchuk A., Kityk I., Olekseyuk I., Parasyuk O. Crystal structure of the Ag2SiS3 compound // J. Alloys Compd. – 2011. – V. 509, № 12. – P. 4372–4374.
Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous Electron Gas // Phys. Rev. – 1964. –
V. 136, № 3. – P. B864–B871.
Kohn W., Sham L.J. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects // Phys. Rev. – 1965. – V. 140, № 4. – P. A1133–A1138.
Anisimov V.I., Aryasetiawan F., Lichtenstein A.I. First-principles calculations of the electronic structure and spectra of strongly correlated systems: the LDA+ U method // J. Phys.: Condens. Matter. – 1997. – V. 9, № 4. – P. 767–808.
Cococcioni M., de Gironcoli S. Linear response approach to the calculation of the effective interaction parameters in the LDA+U method // Phys. Rev. B. – 2005. – V. 71. – P. 035105-1–035105-16.
Soler J.M., Artacho E., Gale J.D. García A., Junquera J., Ordejón P., Sánchez-Portal D. The SIESTA method for ab initio order-N materials simulation // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – V. 14, № 11. – P. 2745–2779.
SIESTA is both a method and its computer program implementation, to perform efficient electronic structure calculations and ab initio molecular dynamics simulations of molecules and solids [Електронний ресурс] / Режим доступу : http://icmab.cat/leem/siesta.
Chadi D.J., Cohen M.L. Special Points in the Brillouin Zone // Phys. Rev. B. – 1973. – V. 8, № 12. – P. 5747–5753.
Monkhorst H.J., Pack J.D. Special points for Brillouin-zone integrations // Phys. Rev. B. – 1976. – V. 13, № 12. – P. 5188–5192.
Kashida S., Watanabe N., Hasegawa T., Iida H., Mori M., Savrasov S. Electronic structure of Ag2S, band calculation and photoelectron spectroscopy // Solid State Ionics. – 2003. – V. 158, № 1-2. – P. 167–175.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
