Спектри пропускання плівок системи Ge-As-Se
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2015.38.23-27Ключові слова:
халькогенідні плівки, спектральні параметри, Ge-As-SeАнотація
Представлено результати дослідження спектрів пропускання аморфних плівок Ge-As-Se, напилених у вакуумі. Розраховано спектральні, поляризаційні й дисперсійні характеристики тонких плівок Ge-As-Se у діапазоні довжин хвиль λ = 400-800 нм
Посилання
Д.Г. Семак, В.М. Різак, І.М. Різак. Фото-термоструктурні перетворення халькогенідів. Ужгород: – Закарпаття, 1999. – 392с.
Teteris, M. Reinfelde. Application of amorphous chalcogenide semiconductor thin films in optical recording technologies // J. of Optoelectronics and Advanced Mat. - V5. - №5. - P.1355 – 1360.
S.A. Kostyukevych, G.M. Morozovska, V.I. Minko, P.E. Shepeliavyi, A.A. Kudryavtsev, V.M. Rubish, V.V. Rubish, I.V. Tverdokhleb, A.S. Kostyukevych, S.V Dyrda. Recording the highly efficient diffraction gratings by using He-Cd laser // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - V 7. - №4, Р. 472– 477.
Munzar M., Tichý L., Tichá H. Some optical properties of Ge–S amorphous thin films // Current Appl. Phys. – 2002. – V.2. – P. 181 – 185.
Wang R. P. Amorphous Chalcogenides: Advances and Applications. Boca Raton: – CRC Press, 2014. – P. 303.
Kumar R., Kumar A., Rangra V.S. A Study of Physical Properties of Ge-Se-In Glassy Semiconductors // Optoelec. & Adv. Mater. – 2010. – V.4. – №10. – P. 155 – 1558.
Мешалкин А. Ю. Андриеш И. С.Абашкин В. Г. Цифровой метод измерения толщины нанометровых пленок на базе микроинтерферометра МИИ-4 //Электронная обработка материалов. – 2012. – Т.48.- №6. – C. 114 – 118.
Dmitruk N.L., Borkovskaya O.Yu., Havrylenko T.S., Naumenko D.O., Petrik P., Meza-Laguna V., Basiuk (Golovataya-Dzhymbeeva) E.V. Effect of chemical modification of thin C60 fullerene films on the fundamental absorption edge // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2010. – V.13. - №2. -Р. 180 - 185.
Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci. Instrum. – 1983. – V16. - Р. 1214 - 1222.
Tauc J. States in the gap // J. Non-Cryst. Solids. – 1972. V.8. -№10. - Р. 569 - 585.
Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Москва: Мир, 1982. – 658с.
Tanaka K. Optical properties and photoinduced changes in amorphous As-S films // Thin Solid Films. - 1980. - V.66. – Р 27100 - 27900.
Wemple S. H., DiDomenico Jr M. Behaior of the electronic dielectric constant in covalent and ionic materials //Physical Review B. – 1971. – Т. 3. – №. 4. – С. 1338.
Tubbs M.R. A spectroscopic interpretation of crystalline iсonicity // Phys. Stat. Sol. – 1970. – V.41 - №1. - Р. K6100 - K64.
P. Boolchand, D.G. Georgiev, B. Goodman. Discovery of the intermediate phase in chalcogenide glasses // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2001. – Vol. 3. -№3. – C. 703 - 720.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
