Вплив електронного та гамма-опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>

Автор(и)

  • О. О. Молнар Ужгородський національний університет, Україна
  • Г. В. Васильєва Ужгородський національний університет, Україна
  • І. І. Гайсак Ужгородський національний університет, Україна
  • М. Т. Саболчій Ужгородський національний університет, Україна
  • І. М. Стойка Ужгородський національний університет, Україна
  • О. О. Грабар Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.40.13-17

Ключові слова:

Діелектричний спектр, Sn2P2S6, Сегнетоелектрик, Радіаційне опромінення

Анотація

У роботі представлені результати досліджень впливу опромінення високоенергетичними β - і γ - частинками нелегованих кристалів Sn2P2S6  на їх діелектричні спектри. Встановлено, що отримані відмінності в діелектричних спектрах, викликані опроміненням, є нестабільними, і демонструють повільні зміни в початковий стан протягом 2-3 тижнів. При цьому вплив β- і γ- опромінення на діелектричні властивості кристалів Sn2P2S6 суттєво відрізняється від результатів освітлення інтенсивним білим світлом.

Посилання

Vysochanskii, Yu. M., Janssen, T., Currat, R., Folk, R., Banys, J., Grigas, J., Samulionis, V. (2006) “Phase transitions in ferroelectric phosphorous chalcogenide crystals”, Vilnius: Vilnius University, p. 453.

Cole, K.S.; Cole, R.H. (1941). "Dispersion and Absorption in Dielectrics - I Alternating Current Characteristics", Journal of Chemical Physics, Vol. 9, pp. 341–352.

Lefkowitz, I., Kramer, K., Kroeger, P. (1965), “Ferroelectrics: Their electrical behavior during, and subsequent to ionizing radiations”, CFSTI, 142 p.

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-12-31

Номер

Розділ

Статті