Електронна структура Ag<sub>2</sub>S і Ag<sub>2</sub>GeS<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.40.30-40Ключові слова:
Електронна зонна структура, Густина станів, Сульфід срібла, Тіогерманат срібла, Розподіл валентного зарядуАнотація
У локальному наближенні теорії функціонала густини виконано розрахунки зонної структури, повної і парціальних густин станів, розподілу електронної густини в Ag2S і Ag2GeS3. За результатами розрахунку проведено детальний аналіз природи валентних станів. Показано, що обидва кристали є прямозонними напівпровідниками з розрахованою шириною забороненої зони Egd = 0.91 еВ для Ag2S і Egd = 1.96 еВ для Ag2GeS3. Хімічний зв'язок в цих сполуках має іонну і ковалентну складові.
Посилання
Кохан О.П. Взаємодія в системах Ag2X–BIVX2(BIV – Si, Ge, Sn; X = S, Se) і властивості сполук. Автореф. дис. … канд. хім. наук. Ужгород, 1996. – C. 21.
Олексеюк И. Д., Когут Ю.М., Федор-чук А.О., [та ін.] Система Ag2S–GeS2 та кристалічна структура Ag2GeS3 // Наук. вісник Волинського нац. ун-ту ім. Лесі Українки. – 2010. – Т. 16. – С. 25–33.
Robinel E., Carette B., Ribes M. Silver sulfide based glasses (I). Glass forming regions, structure and ionic conduction of glasses in GeS2–Ag2S and GeS2–Ag2S–AgI systems // J. Non-Cryst. Solids. – 1983. – V. 57, № 1. – P. 49–58.
Блецкан Д.И. Фононные спектры и электронные явления в упорядоченных и неупорядоченных халькогенидах германия : дис. … док. физ.-мат. наук / Ужгород. гос. ун-т. – Ужгород, 1984. – C. 450.
Nagels P., Tichý L., Tříska A., Tichá H. Physical properties of (GeS2)x(Bi2S3)1−x glasses // J. Non-Cryst. Solids. – 1985. – V. 77–78, Part 2. – P. 1265–1268.
Morales Masis M. Resistive switching in mixed conductors: Ag2S as a model system: Doctoral Thesis / Leiden University. – Leiden, 2012. – P. 124.
Owens A.P., Pradel A., Ribes M., Elliott S.R. A quasi-elastic neutron scattering study of Ag+ ion motion in the superionic glassy system Ag2S–GeS2 // J. Non-Cryst. Solids. – 1991. – V. 131–133, Part 2. – P. 1104–1108.
Yoshida N., Itoh M., Tanaka K. Photo- and electron-induced chemical modifications in Ag–As(Ge)–S(Se) glasses //
J. Non-Cryst. Solids. – 1996. – V. 198–200, № 2. – P. 749–752.
Kawaguchi T., Maruno S., Elliott S.R. Optical, electrical, and structural properties of amorphous Ag–Ge–S and Ag–Ge–Se films and comparison of photoinduced and thermally induced phenomena of both systems // J. Appl. Phys. – 1996. – V. 79, № 12. – P. 9096–9104.
Reshak A.H., Auluck S., Piasecki M., [et al.] Absorption and photoconductivity spectra of Ag2GeS3 crystal: Experiment and theory // Spectrochim. Acta A.: Mol. Biomol. Spectrosc. – 2012. – V. 93. – P. 274–279.
Hasegawa A. On the electronic structure of Ag chalcogenides // Solid State Ionics. – 1985. – V. 15, № 1. – P. 81–88.
Kashida S., Watanabe N., Hasegawa T., [et al.] Electronic structure of Ag2S, band calculation and photoelectron spectroscopy // Solid State Ionics. – 2003. – V.158, № 1–2. -P.167–175.
Gordienko A.B., Zhuravlev Yu.N., Fedorov D.G. Band structure and chemical bonding in silver sulfide // Russian Physics Journal. – 2006. – V. 49, № 8. – C. 892–894.
Alekberov O., Jahangirli Z., Paucar R., [et al.] Band structure and vacancy formation in β-Ag2S: Ab-initio study // Phys. Status Solidi C. – 2015. – V. 12, № 6. – P. 672–675.
Sadanaga R., Sueno S. X-ray study on the α-β- transition of Ag2S // Mineral. J. Jpn. – 1967. – V. 5, № 2. – P. 124–143.
Nagel A., Range K.-J. Verbindungsbil-dung im System Ag2S-GeS2-AgI (Com-pound Formation in the System Ag2S-GeS2-AgI) // Z. Naturforsch. B. – 1978. – V. 33, № 12. – P. 1461–1464.
Оруджев Г.С., Абдулзаде Н.Н., Мурсакулов Н.Н. Оптические свойства и энергетические спектры Ag2S // III Республиканская конференция «Фундаментальные проблемы физики», Азербайджан, Баку, 2009, C. 189–190.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).