Електронна структура та оптичні властивості гетероструктур на основі кристалів In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub> і In<sub>4</sub>Te<sub>3</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.40.80-91Ключові слова:
Гетероструктура, Селеніди індію, Електронна зонна структура, Просторовий розподіл електронної густини, Дисперсійна залежність коефіцієнта поглинанняАнотація
Представлено першопринципні розрахунки електронної структури та оптичних властивостей гетероструктур на основі шаруватих орторомбічних кристалів In4Se3 і In4Te3. Одержано зонну структуру, просторовий розподіл електронної густини, дисперсійні залежності коефіцієнта поглинання для різних поляризацій світла для гетероструктур типу (In4Se3)m/(In4Te3)m та проведено їх порівняння з об’ємними кристалами In4Se3 і In4Te3. Показано, що з зростанням товщини гетероструктури має місце збільшення ширини забороненої зони та, відповідно, розширення спектральної області, що узгоджується з експериментальними даними. Це вказує на можливість утворення стабільних гетероструктур (In4Se3)m/(In4Te3)m, які можуть забезпечити значну фоточутливість в близькій і середній інфрачервоних областях.
Посилання
Rhyee J.-S., Lee K.H., Lee S.M. [et al.] (2009), “Peierls distortion as a route to high thermoelectric performance in In4Se32d”, Nature, V. 459, N 18. pp. 965-968.
Bercha D.M., Glukhov K.E., Sznajder M. (2011), “Gain Spectrum for the In4Se3 Crystal with a Non-standard Dispersion Law of Charge Carriers”, Acta Physica Polonica A., V. 119, N. 5, pp. 720 – 722.
Волянська Т.А., Грицюк Б.М., Мошкова Т.С., та ін. (2000), “Фотоелектричні властивості епітаксій них гомо- і гетероструктур на основі In4(Se3)1-xTe3x”, Науковий вісник Чернівецького університету, Вип. 79. Фізика. Електроніка. С. 19-21.
Грицюк Б.М., Стребежев В.М., Юрійчук І.М. (2012), “Епітаксійні гетероструктури In4Se3-In4Te3, In4Se3-Ge”, Науковий вісник Чернівецького університету, Том 2.- Вип. 1. Фізика. Електроніка. - С. 34-38.
Галій П.В., Ненчук Т.М., Дверій О.Р. та ін. (2009), “Нановимірні дослідження поверхні (100) шаруватого кристалу In4Se3”, Фізика і хімія твердого тіла, Т.10, №4, С.813-818.
Galiy P.V., Ciszewski A., Dveriy O.R. [et al.] (2009), “Investigation of (100) In4Se3 crystal surface nanorelief”, Functional Materials, Vol. 16, No. 3, pp. 279-285.
Воробець О.І. (2007), „Модифікація властивостей бар’єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням”: автореф. дисерт. на здобуття наук. ступеня канд. фіз.- мат. наук: спец. 01.04.10 “Фізика напівпровідників і діелектриків”, Черні-вці, 20 с.
Melnychuk T.A., Strebegev V.N., Voro-bets G.I. (2007), „Laser synthesis of thin films and layers of In4Se3, In4Te3 and modification of their structure”, Applied Sur-face Science, Vol. 254., pp. 1002-1006.
Катеринчук В.Н., Ковалюк M.З. (2010), „Пленки вырожденных собственных окислов полупроводниковых кристаллов InSe и In4Se3”, ФТП, Т.44, №9. C. 1212-1215, 2010.
Воробець Г.І., Стребежев В.М., Ро-гов Р.В. (2009), “Алгоритм і пакет програм для оптимізації параметрів інтерференційних фільтрів”, Науковий вісник Чернівецького університету, Вип. 479, С. 157-160.
Катеринчук В.М., Ковалюк З.Д., Кушнір Б.В., Литвин О.С. (2016), “Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид p-In4Se3”, Журнал нано- та електронної фізики, Том 8, № 3, C. 03032(4cc).
Hogg J.H.C., Sutherland H.H., Wil-liams D.J. (1971), “Crystallographic Evidence for the existence of the phases In4Se3 and In4Te3 which contain the homo-nuclear triatomic cation (In3)5+”, Chem. Communs. No 23. pp. 1568-1569.
Gonze X., Beuken J. M., Caracas R., Detraux F., Fuchs M., Rignanese G.M., Sindic L., Verstraete G., Zerah G., Jollet F., Torent M., Roy A., Mikami M., Ghosez Ph., Raty J.-Y., Allan D.C. (2002), “First-principles computation of material properties: the ABINIT software project”, Com-put. Mater. Sci. 25, 478.
Hohenberg P., Kohn W. (1964), “Inhomogeneous Electron Gas”, Phys. Rev., V. 136, 3, pp. B864–B871.
Kohn W., Sham L.J. (1965), “Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects”, Phys. Rev., V. 140, № 4, pp. A1133–A1138.
Monkhorst H.J., Pack J.D. (1976), “Special points for Brillouin-zone integrations”, Phys. Rev. B., V. 13, № 12, P. 5188–5192.
Бассани Ф., Пастори Парравичини Дж. (1982), “Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах”, Москва.:Наука, 388 с..
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
