Діелектричні властивості та фазова р,Т-діаграма шаруватих кристалів CuBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub>

Автор(и)

  • О. В. Шуста Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Г. Сливка Ужгородський національний університет, Україна
  • В. С. Шуста Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.40.68-71

Ключові слова:

Антисегнетоелектрики, Фазові переходи, Діелектричні властивості, Гідростатичний тиск, Фазова діаграма

Анотація

Наведено результати досліджень температурних залежностей діелектричної проникності шаруватих кристалів CuBiP2Se6 при дії зовнішнього гідростатичного тиску. Встановлено, що дія гідростатичного  тиску  приводить до зменшення температури антисегнетоелектричного фазового переходу з коефіцієнтом dTc /dp =–0,049 K/MPa

Посилання

Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., VonderMuhl R. аnd Ravez J. Ferrielectric ordering in lamellar CuInP2S6 // Phys.Rev.1997.- vol. 56.-P. 10860-10867.

On the Lamellar Compounds CuBiP2Se6, AgBiP2Se6 and AgBiP2S6. Antiferroelectric Phase Transitions Due to Cooperative Cu+ and Bi3+ Ion Motion / Matthew A. Gave, Daniel Bilc, S. D. Mahanti, Jean D. Breshears, and Merc G. Kanatzidis //Inorg. Chem.- 2005.- v.44.No15. -P.5293-5303.

Maisonneuve V., Evain M., Payen C., Cajipe V.B. and Molinie P. Room-temperature

crystal structure of the layered phase CuInP2S6 // J. Alloys and Compounds.-1995.-vol.218.-P. 1574-1580.

Phase transitions in CuBiP2Se6 crystals Dziaugys A., Banys J., Macutkevic J., Vysochanskii Yu., Pritz I. and Gurzan M. // Phase Transitions.- 2011.-vol.84, No.2.-P.147–156

Dielectric spectroscopy of CuBiP2S6 crystals. Dziaugys A., Banys J., Macutkevic J., Samulionis V., and Vysochanskii Yu. // Рhys.Status.Solidi C.2009.- vol.6, No12.-P.2734-2736.

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-12-31

Номер

Том 40 (2016)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).