Effect of technological modification on refractometrical properties of As<sub>2</sub>S<sub>5</sub> glass
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.40.98-105Keywords:
Synthesis, Glassy, Refraction, Quasi constants, Characteristic energyAbstract
Purpose: Determine the effect of synthesis conditions As2S5 glass in its optical-refractometric (OR) properties.
Methods: The synthesis was carried out with glassy As2S5 elementary component cleanliness "OSCH" B-5 melt at different temperatures (Т1=820 K; Т2=1070 К; Т3=1320 К) and cooling speeds (V1=10-2 K / s, V2=1,5 K / s; V3=1,5∙102 K / s). Dispersion of the refractive index determined using temperature refractometric system based on optical divisional heads ODG-10.
Results: The paper presents the results of a study of dispersion of the refractive index of the vitreous As2S5, obtained under different synthesis conditions. The values OP-quasi constant ηs, characteristic energy dispersion Es and fate ionicity due to f in OP -scale agents for vitreous samples studied. Show that the value of the degree of ionicity fi connections varies between 46% (synthesis conditions Т1V1) to 48% (synthesis conditions Т1V2).
Conclusion: The changes quasi constant η2 concluded that the optimum temperature synthesis vitreous Аs2S5 temperature is Т2 = 1070 K and the melt cooling rate V2 = 1,5 K / s. From the analysis of experimental and theoretical data molar refraction shown that knowing the value of band gap Eg, density d, molecular weight μ enough to measure the refractive index n for some fixed wavelength λ, it will help with accuracy of ± 2% to calculate the value of n in field of transparency of the material.References
Вязкость и структура стекол системы сера-мышьяк / [Виноградова Г.З., Дембовский С.А., Кузьмина Т.Н., Чернов А.П.] // ЖНХ. -1967. –Т.12, №12. –С. 3240–3247.
Борисова З.У. Полупроводниковые халькогенидные стекла. – Л.: Изд-во ЛГУ, 1983. –343 с.
Росола И.И. Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии //Автореф. дис. канд. физ.-мат.наук. –Кишинев, 1985. –20 с.
Kosec F., Chlebny J., Cimpl Z., Masek J. Structural and physical properties of the AsSx system // Phil. Mag. B. –1983. – V.47, №6. –P. 627–639.
Влияние условий получения на оптические и электрические свойства стеклообразных As2B3VI / [Химинец В.В., Баранова Л.П., Бажан В.И. и др. ] //Сб. докладов конф. ”Аморфные полупро-водники-82”, 30 августа – 4 сентября 1982 г. –Бухарест :Издатели Раду Григоровичи, Ана Ванку, 1982. –С. 114–116.
Tanaka K., Gohda S., Odajima A. Interrelations between optical absorption edges and structural order in glassy As2S3 // Solid State Commun. –1985. –V.56, №10. –P. 899–903.
Росола І.Й. Вплив умов одержання на лінійне розширення і структуру склоподібного As2S2 / Росола І.Й.,
Цигика В.В. - Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2010. – Вип. 28. – С. 117-123.
Влияние условий синтеза на физикохимические свойства и спектры КРС стеклообразного As2S5 / [Росола И.И., Зацаринная Т.А., Химинец О.В., Стефанович В.А., Химинец В.В. ]; УФЖ. –1989. –Т.34, №2. –С.236-239.
Борец А.Н. Соотношение между шириной псевдощели и показателем преломления неметаллических веществ //УФЖ. –1980. –Т.25, №4. –С.680-681.
Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. –М.: Высшая школа, 1979. –302 с.
Температурная рефрактометрическая установка на базе оптической делительной головки ОДГ-10 /[ Пуга П.П., Ковач Д.Ш., Зубань В.А., Борец А.Н. ] //Метрологическое обеспечение производства и контрольноизмерительная техника. – Ужгород, 1984. –С.43-47.
Иоффе Б.Т. Рефрактометрические методы химии. –2-е изд. перераб. и доп. –Л.: Химия, 1974. –400 с.
Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. –М.: Изд-во Иностр. литерат., 1961. –304 с.
Росола І.Й., Дисперсійні властивості стекол AsХS1-Х / Росола І.Й., Левко І.В. - Науковий вісник Ужгород. ун-ту. Серія Фізика. –2013. –Вип.33. –С. 7-14.
Wemple S.H., Di Domenico M. Behavior of the dielectric constant in covalent and ionic materials. //Phys. Rev. B. –1971. – V.3, No.4. –P.1338-1352.
Wemple S.H. Refractive-index behaviour of amorphous semiconductors and glass. //Phys. Rev. B. –1973. –V.7, No.8. – P.3767-3777.
Downloads
Published
Issue
Section
License
Copyright (c) 2016 Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).