Фазові перетворення в аморфних плівках Sb<sub>x</sub>Te<sub>100-x</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.39.44-50Ключові слова:
халькогенідні матеріали, аморфні плівки, фазові перетворення, кристалізація, комірки пам’ятіАнотація
Наведено результати досліджень температурних залежностей електричного опору R та оптичного пропускання θ аморфних плівок SbxTe100-x. Встановлено, що кристалізація плівок супроводжується різким зменшенням R і θ. Параметри переходу «аморфна фаза → кристалічна фаза» залежать від хімічного складу плівок та швидкості нагрівання.Посилання
Стронский А.В., Костюкевич С.А., Сукач Г.А., Гаврилюк Ю.Н. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников для записи, хранения и передачи информации // Вісник Державного університету інформаційно-комунікаційних технологій, 2004. – Т.2, №4. – С.226-237.
Петров В.В., Крючин А.А., Костюкевич С.О., Рубіш В.М. Неорганічна фотолітографія. – К.: ІМФ НАНУ, 2007. –195 с.
Козюхин С.А., Шерченков А.А. Перспективы применения халькогенидных сплавов в элементах фазовой памяти // Приложение к журналу «Вестник РГРТУ», 2009. – №4. – 7 с.
Terao M., Morikawa T., Ohta T. Electrical phase-change memory: fundamentals and state of the art // Jap. J. Appl. Phys., 2009. – V.48. – P.080001 (1-14).
Петров В.В., Крючин А.А., Рубиш В.М. Материалы перспективных оптоэлектронных устройств. – К.: Наукова думка, 2012. – 336 с.
Ohta T. Phase – change optical memory promotes the DVD optical disk // J. Optoelectronics and Advanced Mat., 2001. – V. 3, No3. – P. 609-626.
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. К.Д. Цэндина. СПб.: Наука.,1996. –486 с.
Kado H., Tonda T. Nanometer-scale recording on chalcogenide films with an atomic force microscope // Appl. Phys. Lett. – 1995. – V.66. – P.2961-2962.
Yoon S.M., Lee N.Y., Ryu S.O. et al. Sb-Se-based phase-change memory device with lower power and higher speed operations // IEEE Electron Device Letters. – 2006. – V. 27, No 6. – P. 445-447.
Рубіш В.М., Кириленко В.К., Мар’ян В.М. та ін. Дослідження фазових переходів «аморфна фаза-кристалічна фаза» в плівках системи сурма-селен резистивним та оптичним методами // Тез. доп. VI Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6). – Чернівці, Україна, 2013.– С.563-564.
Рубіш В.М., Кириленко В.К., Дуркот М.О. та ін. Температурні дослідження аморфних плівок з ефектом зміни фази // Тез. докл. IV Междунар. науч. конф. «Наноразмерные системы: строение, свойства, технологии (НАНСИС – 2013)». – Киев, Украина, 2013. – С. 408.
Кириленко В.К., Мар’ян В.М., Дуркот М.О., Рубіш В.М. Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів // Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2014. – Т.16, №2.– С.7-13.
Wang F., Zhang Y., Song Z. et. al. Temperature influence on electrical properties of Sb-Te phase-change material // Jаp. J. Appl. Phys. – 2008. – V. 47, Nо2. – P. 843-846.
Kozyukhin S.A., Sherchenkov A.A., Babich A.V. Phase separation in chalcogenide semiconductors of the Ge-Te system upon thermal cycling // Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Elektronika. – 2013. – V. 100, No. 2. – P. 3-8.
Cheng H.Y., Kao K.F., Lee C.M., Chin T.S. Characteristics of Ga-Sb-Te films for phase-change memory // IEEE Transactions on Magnetics. – 2007. – V. 43, Nо2. – P. 927-929.
Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. – М.: Наука, 1984. – 176 с.
Козусенок О.В., Горіна О.Г., Мар’ян В.М. та ін. Механізм кристалізації аморфних плівок Sb2Se3 // Наук. Вісник Ужгород. ун-ту. Серія Фізика, 2013. – № 34. – С.64-67.
Rubish V.M., Kozusenok O.V., Shtets P.P. et al. Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous films by optical method // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics – 2012. – V. 15, No. 3. – P. 294-297.
Kyrylenko V.K., Maryan V.M., Bulhakova A.I. et al. “Amorphous state – crystalline state” phase transitions in thin films of Sb-Te system // Mat. Intern. Meeting “Clusters and nanostructured materials (CNM-4)”. – Uzhgorod, Ukraine. – 2015. – P. 41.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2017 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
