Оптичні параметри опромінених рентгенівським випромінюванням тонких плівок Cu<sub>7</sub>GeS<sub>5</sub>I
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2016.39.51-56Ключові слова:
тонкі плівки, магнетронне розпилення, рентгенівське випромінювання, оптичне поглинання, показник заломленняАнотація
Тонкі плівки на основі Cu6PS5I були нанесені на підкладинки з силікатного скла методом нереактивного радіочастотного магнетронного розпилення. Спектри оптичного пропускання опромінених рентгенівським випромінюванням тонких плівок Cu7GeS5I вивчалися в залежності від часу опромінювання. Зі збільшенням часу опромінювання спостерігається червоне зміщення короткохвильової частини спектру пропускання та максимумів інтерференції. Досліджено урбахівський край оптичного поглинання та дисперсію показника заломлення опромінених рентгенівським випромінюванням тонких плівок Cu7GeS5I. Показано, що під впливом рентгенівського випромінювання енергетичне положення краю поглинання зменшується, тоді як енергія Урбаха та показник заломлення збільшуються. Проаналізовано вплив рентгенівського випромінювання на оптичні параметри та процеси розупорядкування в тонких плівках Cu7GeS5I.
Посилання
Kuhs, W.F., Nitsche, R., Scheunemann, K. (1979), “The argyrodites – a new family of the tetrahedrally close-packed structures”, Mater. Res. Bull. 14, pp. 241-248
Stasyuk, Yu.M., Kokhan, O.P., Panko, V.V., Kovach, S.K. (1999), “Oderzhannya ta dejaki vlastyvosti spoluk Cu7GeS5I i Cu7GeSe5I”, Visnyk UzhDU: Ser. Khim. 4, pp. 9-12 .
Studenyak, I.P., Kokhan, O.P., Kranjčec, M., Bilanchuk, V.V, Panko, V.V. (2007), “Influence of SSe substitution on chemical and physical properties of Cu7Ge(S1–xSex)5I superionic solid solutions”, J. Phys. Chem. Solids, 68, p. 1881-1884.
Studenyak, I.P., Kranjčec, M., Kovacs, Gy.Sh., Desnica-Frankovic, I.D., Molnar, A.A., Panko, V.V., Slivka, V.Yu. (2002), “Electrical and optical absoprtion studies of Cu7GeS5I fast-ion conductor”, J. Phys. Chem. Solids 63, pp. 267-271.
Studenyak, I.P., Kranjčec, M., Bilanchuk, V.V., Kokhan, O.P. , Orliukas, A.F., Kezionis, A., Kazakevicius, E., Salkus, T. (2010), “Temperature and compositional behaviour of electrical conductivity and optical absorption edge in Cu7Ge(S1–xSex)5I mixed superionic crystals” , Solid State Ionics, 181, p. 1596-1600.
Studenyak, I.P., Bendak, A.V., Rybak ,S.O., Izai, V.Yu., Kúš, P., Mikula, M. “Optical studies of as-deposited and annealed Cu7GeS5I thin films”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2016. – Vol.19, N2. – P.192-196.
Imai, R., Fujimoto, A., Okada, M., Matsui, S., Yokogawa, T., Miura, E., Yamasaki, T., Suzuki, T., Kanda, K. (2014), “Soft X-ray irradiation effect on the surface and material properties of highly hydrogenated diamond-like carbon thin films” , Diamond & Related Materials 44, pp. 8-10.
El-Nahass, M.M., El-Deeb, A.F., Metwally, H.S.,. El-Sayed, H.E.A, Hassanien, A.M. (2010), “Influence of X-ray irradiation on the optical properties of iron (III) chloride tetraphenyporphyrin thin films” , Solid State Sciences 12, pp. 552-557.
Swanepoel, R. (1983), “Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon”, J. Phys. E: Sci. Instrum. 16, pp.1214-1222.
Urbach, F. (1953), “The Long-Wavelength Edge of Photographic Sensitivity and of the Electronic Absorption of Solids”, Phys. Rev. 92, pp. 1324-1326.
Cody, G.D., Tiedje, T., Abeles, B., Brooks, B., Goldstein, Y. (1981), “Disorder and the optical-absorption edge of hydrogenated amorphous silicon”, Phys. Rev. Lett. 47, pp. 1480-1483.
Studenyak, I.P., Kranjčec, M., Kovacs, Gy.Sh., Desnica, I.D., Panko, V.V., Slivka, V.Yu. (2001), “Influence of compositional disorder on optical absorption processes in Cu6P(S1-xSex)5I crystals”, J. Mat. Res. 16, pp.1600-1608.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
