Вплив умов відпалу на структуру і властивості стекол (As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>)<sub>100-x</sub>(SbSI)<sub>x</sub> та композитів на їх основі
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2017.41.68-78Ключові слова:
халькогалогенідні стекла, сегнетоелектрики, кристалізація, структураАнотація
Приведені результати термографічних та рентгеноструктурних досліджень стекол і композитів в системі As2Se3-SbSI. Встановлено, що кристалізація стекол відбувається в декілька етапів і супроводжується аномаліями на температурних залежностях діелектричних параметрів. Структура фази, яка виникає в скляній матриці при низькотемпературному відпалі (393-453 К), відповідає структурі кристалічного сульфойодиду сурми. Визначена природа кристалічних включень, які формуються в структурній сітці в умовах високотемпературного відпалу.
Посилання
Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Сегнето-электрики типа AVBVICVII. – Москва: Наука, 1982. – 228 с.
Surthi S., Kotru S., Pandey R.K., SbSI films for ferroelectric memory applications // Integr. Ferroelectr. 2002. – Т.48. – No.1. – P. 263–269.
Nowak M., Szperlich P., Kidawa A. et.al. Optical and photoelectrical properties of SbSI", Proc. SPIE. 2003. – V.136. – P.172–177.
Nowak M., Mroczek P., Duka P. et.al. Using of textured poly-crystalline SbSI in actuators // Sens. Actuators A Phys. – 2009. – V.150. – No.2. – P. 251–256.
Muralt P. Micromachined infrared detectors based on pyroelectric thin films // Rep. Prog. Phys. – 2016. – V.4. – No.10. – P.1339-1388.
Honma T. Laser-induced crystal growth of nonlinear optical crystal on glass surface // J. Ceram. Soc. Jpn. – 2010. – V. 118. – No.1374 – P. 71–76.
Ghosh P.K., Bhalla A.S., Cross L.E. Preparation and electrical properties of thin films of antimony sulphur iodide (SbSI) // Ferroelectrics. – 1983. – V.51. –No.1. – P. 29–33.
Rubish V.M., Kozusenok O.V., Shtets P.P. et.al. Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous films by optical method // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2012. – V. 15. – No 3. – P. 294-297.
Rubish V.M., Shpak A.P., Stefanovich V.A. et.al. Formation mechanism and nature of ferroelectric crystalline inclusions in matrix of glasses on the SbSI basis: Abstr. Russia /CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF–9) – Vilnius, Lithuania, 2008. – P. 155.
Rubish V.M., Rigan M.Yu., Gasinets S.M. et. al. Obtaining and crystallization peculiarities of antimony containing chalcogenide glasses // Ferroelectrics. – 2008. – V.372. – No.1. – P. 87-92.
Рубіш В.М. Аномальна поведінка діелектричної проникності халькогенідних стекол в околі температури кристалізації // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2007. – №1. – C. 62-66.
Barj M., Mykaylo O.A., Kaynts D.I. et.al. Formation and structure of crystalline inclusions in As2S3-SbSI and As2Sе3-SbSI systems glass matrices // J. Non-Cryst. Solids. – 2011. – V. 357. – P. 2232-2234.
Skuban F., Lukic S.R., Tver’yanovich Yu. S. et.al. Magnetic susceptibity of glasses of the Sb-As-S-Se-I system // J. Res. Phys. – 2004. – V. 30. – No. 1. – P. 1-7.
Ding L., Tao H., Chen G. Composition effects on thermal and crystallization properties of glasses in Sb-S-I system // J. Am. Ceram. Soc. – 2009. – V. 92. – No. 5. – P. 1136-1138.
Ding L., Zhad D., Jain H. et.al. Strucrure of GeS2-SbSI glasses by Raman spectroscopy // J. Am. Ceram. Soc. – 2010. – V. 93. – No. 10. – P. 2932–2934.
Ролстен Р.Ф. Иодидные металлы и иодиды металлов, – М.: Металургия, 1968. – 524 с.
Ferro D., Nappi B., Piacente V. Vapor pressure of antimony triiodide // J. Chem. Thermodynamics. – 1979. – V. 11. – No. 2. – P. 193-201.
Алиханян А.С., Стеблевский А..В., Лазарев В.Б. и др. Термодинамические свойства газообразных иодидов мышьяка // Изв. АН СССР, Неорган. Материалы. – 1980. – Т. 16. – № 1. – C. 73-79.
Шпирко Г.М., Мотря С.Ф., Ткаченко І.І. Термодинамічні дослідження тернарних сполук у системах Cd, Hg–Ge(Sn)–S(Se) // Вісник УжНУ. Серія Хімія. – 2002. – №.7. – C. 32-34.
Gasinets S.M., Gorina O.V., Maryan V.M. et al. Crystallization Pecularities of Glasses in As2Se3−SbSI System: Intern. Meeting of Materials for Electronic Application, (IMMEA- 2015), – Marrakech, Morocco. 2015, – P. 159.
Gasynets S.M., Gorina O.V., Maryan V.M. et al. Influence of annealing conditions on the structure of (As2Se3)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis: Mat. of the Intern. Meeting “Clusters and nanostructured materials (CNM-4)”, – Uzhgorod, Ukraine, 2015. – P. 39.
Rubish V.M. Thermo-stimulated relaxation of SbSI glass matrix // J. Optoelectronics Advanced Mat. – 2001. – V.3. – No.4. – P. 941-944.
Rubish V.M., Dobosh M.V., Shtets P.P. et.al. Crystallization parameters of non- сrystalline antimony chalcogenides // J. Phys. Studies. – 2004. – V.8. – No.2. – P. 178-182.
Рубіш В.М., Риган М.Ю., Перевузник В.П. та ін. Склоутворення, кристалізація і фізико-хімічні властивості сплавів в системах на основі SbSI // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т. 10. – № 4. – C. 861-866.
Grigas J., Talik E., Lazauskas V. Spliting of the XPS in ferroelectric SbSI crystals // Ferroelectrics. – 2003. – V. 284. – P. 147- 160.
Lazauskas V., Nelkinas V., Grigas J. et. al. Electronic structure of valence band of ferroelectric SbSI crystals // Lithuanian J. of Physics. – 2006. – V.46. – No.2. – P. 205-210.
Rubish V.M., Gasinets S.M., Rigan M.Yu, Shtets P.P. Obtaining, structure and properties of glasses and composites on basis AVBVICVII compounds: Mat. Intern. Meeting “Clusters and nanostructured materials (CNM-4)”, – Uzhgorod, Ukraine, 2015. – p.34.
Maryan V.M., Gasinets S.M., Gorina O.V. et al. Structure and dielectric properties of glasses and nanocomposites in As2Se3–SbSI system: Proc. XV Intern. conf. “Physics and technology of thin films and nanosystems (ICPTTFN-XV)”, – Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2015. – p.166.
Trotter J., Zobel T. The crystal structure of SbI3 and BiI3 // Zeitschrift Fuer Kristallographie, Kristallge-ometrie, Kristallphysik, Kristallchemie. – 1966. – V. 123. – P. 67-72.
Mykaylo O.A., Gorina O.V., Rubish V.M. et al. X-ray studies of composites on the basis of annealed (As2Se3)100−x(SbSI)x glasses: Internatioal Meeting of Materials for Electronic Application (IMMEA- 2015), – Marrakech, Morocco, 2015. – P.160.
Mykaylo O.A., Gorina O.V., Strelchuk V.V. et al. The nature of crystalline inclusions in Sb-S-Se-I glasses matrix: Abstr. 15 Intern. Conf. Phys. Chem. (ROMPHYSCHEM-15), –Bucharest, Romania, 2015. – P. 127.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2017 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
