Виготовлення елементів захисту інформації на плівці As<sub>4</sub>Se<sub>96</sub> методом електронно-променевої літографії

Автор(и)

  • Богдан Віталійович Біланич Ужгородський національний університет, Україна
  • Олег Шиленко Університет П.Й.Шафарика в Кошице, Словаччина
  • Владімір Команіцкій Університет П.Й.Шафарика в Кошице, Словаччина
  • Віталій Степанович Біланич Ужгородський національний університет, Україна
  • Олександр Фегер Університет П.Й.Шафарика в Кошице, Словаччина
  • Василь Михайлович Різак Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2017.42.8-13

Ключові слова:

Електронна літографія, Халькогенідні плівки, Захисний елемент

Анотація

Досліджені особливості взаємодії електронного променя з халькогенідними плівками As4Se96. Вказано на існування точки інверсії електронно індукованого поверхневого рельєфу. На плівці As4Se96 реалізовано процес виготовлення оригіналу захисного елементу згідно зображення логотипу методом сухої електронної літографії

Біографії авторів

Богдан Віталійович Біланич, Ужгородський національний університет

аспірант

Олег Шиленко, Університет П.Й.Шафарика в Кошице

аспірант

Владімір Команіцкій, Університет П.Й.Шафарика в Кошице

доцент

Віталій Степанович Біланич, Ужгородський національний університет

доцент

Олександр Фегер, Університет П.Й.Шафарика в Кошице

директор інституту фізики

Василь Михайлович Різак, Ужгородський національний університет

завідувач кафедри  ТЕІБ

професор

Посилання

Tseng А.А., Chen K., Chen C.D., Ma K.J. Electron beam lithography in nanoscale fabrication: recent development. //Ieee Transaction on Electronics Packaging Manufacturing–2003.–V.26.–№2.–Р.141-149.

Thompson L.F., Kerwin R.E. Polymer Resist Systems for Photolithography and Electron Lithography. //Annual Review of Materials Science –1976. – V.6. – P.267-301.

Tanaka K. Electron beam induced reliefs in chalcogenide glasses. //J. Appl. Phys. –1997.– V.70. – P.261-263.

Bilanych V., Komanicky V., Lacková M., Feher A., Kuzma V., Rizak V. Fabrication of meso- and nano-scale structures on surfaces of chalcogenide semiconductors by surface hydrodynamic interference patterning. //Mater. Res. Express. – 2015. – V.2– P.105201.1.–105201.8.

Bilanych V., Komanicky V., Kozejova M., Feher A., Kovalcikova A., Lofaj F., Kuzma V., Rizak V. Surface pattering of Ge-As-Se thin films by electric charge accumulation, //Thin Solid Films –2016.– V.616.–P. 86–94.

Cazaux J. e-Induced Secondary Electron Emission Yield of Insulators and Charging Effects. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. – 2006. – V.B244. – P. 307-322.

Evstaf'eva E.N., Rau E.I., Mileev V.N., Novikov L.S., Ditsman S.A., Sennov R.A. Analysisof mechanisms of dielectric target charging under the effect of electron irradiation. //Inorg. Mater. Appl. Res. – 2011. – V.2. – P. 106–113.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-12-21

Номер

Том 42 (2017)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2017 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).