Діелектричні властивості полікристалів TlIn(S<sub>0.96</sub>Se<sub>0.04</sub>)<sub>2</sub> при високих гідростатичних тисках
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2010.28.47-51Ключові слова:
Сегнетоелектрики, гідростатичний тиск, діелектрична проникність, Фазові переходи, Полікритичні явищаАнотація
Досліджено температурні залежності діелектричних властивостей полікристалів TlIn(S0.96Se0.04)2 в околі фазових переходів при високих гідростатичних тисках. Збільшення гідростатичного тиску призводить до зсуву аномалій діелектричної проникності та тангенсу кута діелектричних втрат в область вищих температур та появи при тисках р>0.55ГПа складної полікритичної області. Побудована фазова p,T-діаграма.
Посилання
Panich A.M. Electronic properties and phase transition in low-dimensional semiconductors // J. Phys. Condens. Matter. – 2008. – №20. – Р. 93202-1–293202-42.
Kashida S. and Kobayashi Y. X-ray study of the incommensurate phase of TlInS2, J. Phys. Condens. Matter. – 1999. – №11. – Р.1027–1035.
Influence of hydrostatic pressure on phase transitions, dielectric properties and conductivity of β-TlInS2 /K.R. Allakhverdiev, A.I. Baranov, T.G. Mamedov, V.A. Sandler, and Y.N. Sharifov // Fiz. Tverd. Tela. –1988. – №30. – Р. 1751–1756.
Еffect of hydrostatic pressure on phase transitions in ferroelectric TlInS2 / O.O. Gomonnai, P.P. Guranich, M.Y. Rigan, I.Y. Roman, A.G. Slivka // High Pressure Research. – 2008. – V. 28, № 4. – P. 615-619.
Seyidov M.-H.Yu., Suleymanov R.A., Salehli F. Влияние „отрицательного химического“ давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS2 // ФТТ. – 2009. – Т.51. – №12. – С.2365 – 2370.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
![Creative Commons License](http://i.creativecommons.org/l/by-nc-nd/4.0/88x31.png)
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).