Діелектричні властивості полікристалів TlIn(S<sub>0.96</sub>Se<sub>0.04</sub>)<sub>2</sub> при високих гідростатичних тисках

Автор(и)

  • Р. Р. Росул Ужгородський національний університет, Україна
  • О. О. Гомоннай Ужгородський національний університет, Україна
  • П. П. Гуранич Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Г. Сливка Ужгородський національний університет, Україна
  • В. М. Рубіш Ужгородський національний університет, Україна
  • М. Ю. Риган Ужгородський НТЦМОНІ Інституту проблем реєстрації інформації НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2010.28.47-51

Ключові слова:

Сегнетоелектрики, гідростатичний тиск, діелектрична проникність, Фазові переходи, Полікритичні явища

Анотація

Досліджено температурні залежності діелектричних властивостей полікристалів TlIn(S0.96Se0.04)2 в околі фазових переходів при високих гідростатичних тисках. Збільшення гідростатичного тиску призводить до зсуву аномалій діелектричної проникності та тангенсу кута діелектричних втрат в область вищих температур та появи при тисках р>0.55ГПа складної полікритичної області. Побудована фазова p,T-діаграма.

Посилання

Panich A.M. Electronic properties and phase transition in low-dimensional semiconductors // J. Phys. Condens. Matter. – 2008. – №20. – Р. 93202-1–293202-42.

Kashida S. and Kobayashi Y. X-ray study of the incommensurate phase of TlInS2, J. Phys. Condens. Matter. – 1999. – №11. – Р.1027–1035.

Influence of hydrostatic pressure on phase transitions, dielectric properties and conductivity of β-TlInS2 /K.R. Allakhverdiev, A.I. Baranov, T.G. Mamedov, V.A. Sandler, and Y.N. Sharifov // Fiz. Tverd. Tela. –1988. – №30. – Р. 1751–1756.

Еffect of hydrostatic pressure on phase transitions in ferroelectric TlInS2 / O.O. Gomonnai, P.P. Guranich, M.Y. Rigan, I.Y. Roman, A.G. Slivka // High Pressure Research. – 2008. – V. 28, № 4. – P. 615-619.

Seyidov M.-H.Yu., Suleymanov R.A., Salehli F. Влияние „отрицательного химического“ давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS2 // ФТТ. – 2009. – Т.51. – №12. – С.2365 – 2370.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-12-31

Номер

Розділ

Статті