Spectral composition of radiation under the bombardment of surface of the silicon by ions and electrons of middle energies

Authors

  • М. І. Лінтур Uzhhorod National University, Ukraine
  • М. В. Приходько Uzhhorod National University, Ukraine
  • Л. М. Маркович Uzhhorod National University, Ukraine
  • А. Й. Дащенко Uzhhorod National University, Ukraine
  • С. С. Поп Uzhhorod National University, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2007.20.150-153

Keywords:

Electron-photon emission, Ion-photon emission

Abstract

By the method of electron-photon and ion-photon emission spectral structure of
the surface of silicon at electron and ions bombardment of medium energies is investigated.The revealed features in the received spectra are explained. The absolute output of photons from a surface of silicon at bombardment electrons with energy 800 eV in a range of lengths of waves of 200-800 nanometers which makes N ≈ 6,9*10-4 phot./el. is calculated.

References

Д. Вудраф, Т. Делчар, Современные методы исследования поверхности (Мир, Москва, 1989).

С. Поп, І. Шароді, Фізична електроніка, (Євросвіт, Львів, 2001).

М.І. Лінтур, Л.М. Маркович, В.О. Мастюгін, М.В. Приходько, І.С. Шароді, Науковий вісник УжНУ, сер. фіз. 10, 191 (2001).

R.I.G. Unrberg, Е. Landemark, Y.C. Chao, J. Electr. Spectr. Relat. Phenom. 75, 197 (1995).

L. Gavioli, M.G .Betti, A. Cricenti, C. Marioni, J. Electr. Spectr. Relat. Phenom. 76, 541 (1995).

O.B. Shpenik, T.Yu. Popik, V.M. Feyer, Yu.V. Popik, Physica B. 315, 133 (2002).

В.И. Малышев. Введение в экспериментальную спектроскопию. (Наука, Москва, 1979).

А.Н. Зайдель, Г.В. Островская, Ю.И. Островский. Техника и практика спектроскопии. (Наука, Москва, 1976).

Published

2007-06-30

Issue

Section

Статті