ДИСПЕРСІЙНІ ВЛАСТИВОСТІ СТЕКОЛ As<sub>X</sub>S<sub>1-X</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.33.7-14Ключові слова:
Склоподібний, Синтез, Рефракція, Квазіконстанти, Характеристичні енергіїАнотація
Експериментальні результати дисперсії показника заломлення n(λ) стекол AsXS1-X описано за допомогою оптико-рефрактометричного співвідношення Борця та визначено ОР-квазіконстанти ηs і характеристичні енергії дисперсії Es. Для досліджуваних матеріалів найкраща кореляція з експериментом одержана, використовуючи адитивну ковалентну рефракцію
Посилання
Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. – М.: Высшая школа, 1979. – 302 с.
Борец А.Н. Соотношение между шириной псевдощели и показателем преломления неметаллических веществ // УФЖ. – 1980. – Т.25, №4. – С. 680-681.
Росола И.И., Пуга П.П., Чепур Д.В. Приведенная плотность колебательных состояний и структурные особенности в стеклах системы As-S. – В кн.: Сложные полупроводники (получение, свойства, применение). – Ужгород: Изд-во Ужгородского ун-та, 1981. –С. 83-92.
Химинец В.В., Пинзеник В.П., Химинец О.В. и др. Новые стеклооб-разные полупроводники для оптоэлектроники // Проспект ВДНХ СССР. – Ужгород, 1982. – 7 с.
Химинец В.В., Пинзеник В.П., Химинец О.В., Росола И.И., Чепур Д.В. Халькогенидные стекла в системе Ge-As-S-J // Информационный листок о научно-техническом достижении. –Львов: Изд-во Львовского ИНТИ. – 1983, №59. – 4 с.
Різак В.М., Різак І.М., Семак Д.Г. Функціональні халькогенідні напів-провідники: Монографія. – Ужгород: Закарпаття, 2001. – 152 с.
Пуга П.П., Ковач Д.Ш., Зубань В.А., Борец А.Н. Температурная рефракто-метрическая установка на базе оптической делительной головки ОДГ-10 // Метрологическое обеспечение производства и контрольно-измерительная техника. – Ужгород, 1984. – С. 43-47.
Иоффе Б.Т. Рефрактометрические методы химии. – 2-е изд. перераб. и доп. – Л.: Химия, 1974. – 400 с.
Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. – М.: Изд-во Иностр. литерат., 1961. – 304 с.
Wemple S.H., Di Domenico M. Behavior of the dielectric constant in covalent and ionic materials // Phys. Rev. B. – 1971. –V.3, No.4. – P. 1338-1352.
Wemple S.H. Refractive-index behavior of amorphous semiconductors and glass // Phys. Rev. B. –1973. – V.7, No.8. – P. 3767-3777.
Росола И.И. Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии //Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. – Кишинев, 1985. – 20 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
