Метод отримання компактних зразків sn<sub>0,9</sub>sb<sub>0,1</sub>o<sub>2</sub> для сенсорів складу газових середовищ

Автор(и)

  • Б. Рудь Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича НАН України, Україна
  • А, Гончар Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича НАН України, Україна
  • О. Биков Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича НАН України, Україна
  • О. Марчук Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича НАН України, Україна
  • Д. Муратов Ужгородський національний університет, Україна
  • Й. Головач Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2009.26.118-122

Ключові слова:

Газовий сенсор, Баротермічний метод, Двоокис олова

Анотація

 Запропонований альтернативний спосіб отримання чутливих елементів газових сенсорів на основі Sn0,9Sb0,1O2 методом баротермічної обробки. Показано, що запропонований баротермічний метод отримання газочутливих шарів плівок на основі двоокису олова, легованого сурмою, може бути використаний для збільшення чутливості сенсорів для визначення складу газових середовищ.

 

Посилання

Mizokawa Y., Nakamura S. ESR and electric conductance studied of fine-powder SnO2 // Japan J. Appl. Phys. - 1975. - Vol. 14, N 6. - P. 779-788.

Hajimoto I., Yamaka E., Nagasawa N., Shionoya S. Electron spin resonance in reduced SnO2 // Phys. Letters. - 1966. - Vol. 23, N 1. - P. 50-51.

Surface properties of antimony doped tin (IV) oxide: a study by electron spectroscopy / P.A. Cox, R.G. Egdell, C Harding et al // Surface Sci. - 1982. - Vol. 123, № 2/3. - P. 179-203.

Колбасова В.А., Абрамова Н.Н., Беккер Л.Х., Матюша С.И. Свойства материалов на основе окиси олова // Электрон. техника. Научн.-техн. сб. Материалы. - 1972, вып.6. - С. 92-93.

Григорян Л.Т., Гедакян Д.А., Константан К.А. Активированное спекание двуокиси олова // Изв. АН СССР, Неорган. материалы. - 1976. - т.12, № 2. - С. 360-361.

Самсонов Г.В. Физико-химические свойства окислов. Справочник. - М.: Металлургия, 1978. - 472 с.

Vincent C.A. The nature of semiconductivity in polycrystalline tin oxide // J. Electrochem. Soc. - 1972. - Vol. 119, N 4. - P. 515-518.

Vincent C.A. Preparation and properties of semiconducting polycrystalline tin oxide // J. Electrochem. Soc. - 1972. - Vol. 119, N 4. - P. 518-521.

Loch L.D. The semiconducting nature of stannic oxide // J. Electrochem. Soc. - 1963. - Vol. 110, N 10. - P. 1081-1083.

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-12-31

Номер

Том 26 (2009)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2009 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).