Парціальні характеристики автоіонізаційних станів, які збігаються до третього порогу атома гелію

Автор(и)

  • Т. М. Заяць Ужгородський національний університет, Україна
  • А. І. Опачко Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.13.28-31

Ключові слова:

Автоіонізація, Гелій, Парціальні ширини, Квазістаціонарні стани

Анотація

Розраховано парціальні положення та ширини найнижчих 10-ти синглетних 1S, 1P, 1D, 1F автоіонізаційних станів, які збігаються до порогу N=3 атома гелію. Проведено аналіз парціальних ширин, що дозволило виявити автоіонізаційні стани, які розпадаються в один або два канали. Таким чином виявлено квазістаціонарні стани, для яких сильний зв'язок каналів слід враховувати з одним або двома відкритими каналами.

Посилання

Бурков С.М., Заяц Т.М., Страхова С.И. // Оптика и спектроскопия. - 1988. - 63. вып.3. - с. 523-528.

Burkov S.M., Letyaev N.A., Strakhova S.I., Zajac T.M. // J. Phys. B: Atom. and Mol. Phys. - 1988. - 21. - P. 1995-1208.

Burkov S.M., Strakhova S.I., Zajac T.M. // J. Phys. B: Atom. and Mol. Phys. - 1990. – 21, - P. 3677-3689.

Балашов B.B., Липовецкий C.C., Сенашенко B.C. // ЖЭТФ. - 1972. - 63. C. 1622-1627.

Балашов В.В., Липовецкий С.С., Павличенков A.B., Полюдов А.Н., Сенашенко B.C. // Опт. и спектр., 1972. - Т.32. - С. 10-16.

Balashov V.V., Lipovelsky S.S., Senashenko V.S. // Phys. Lett. - 1972. - v. 40A. - p.389-39

##submission.downloads##

Опубліковано

2003-06-30

Номер

Розділ

Статті