Піроелектричні властивості кристалів TlIn(S<sub>0.99</sub>Se<sub>0.01</sub>)<sub>2</sub> при високих тисках

Автор(и)

  • П. Гуранич Ужгородський національний університет, Україна
  • Р. Росул Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Гомоннай Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Сливка Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Гомоннай Інститут електронної фізики НАН України, Україна
  • І. Роман Інститут електронної фізики НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2014.35.57-60

Ключові слова:

Сегнетоелектрики, Піроелектрики, Фазові переходи.

Анотація

Досліджено температурну поведінку пірокоефіцієнта кристалів TlIn(S0.99Se0.01)2в околі фазових переходів під дією гідростатичного тиску до 600 МПа. Виявлено, ряд аномалій на температурній залежності піроелектричного коефіцієнта, що пов’язуються з сегнетоелектричним фазовим переходом та переходами у фазу високого тиску. Вивчено поведінку спонтанної поляризації на фазових переходах неспіврозмірна – сегнетоелектрична фази.

Посилання

Gomonnai A.V., Petryshynets I., Azh¬ni-uk Yu.M., Gomonnai O.O., Ro-man I.Yu., Turok I.I., Solomon A.M., Ro¬sul R.R., Zahn D.R.T. Growth and characterisation of sulphur-rich TlIn(S1−xSex)2 single crystals // Journal of Crystal Growth.-2013.- V.367, - P.35–41.

Panich A.M. Electronic properties and phase transition in low-dimensional semiconductors // J. Phys.: Condens. Matter. – 2008. – V.20, № 29. - 293202 (42 pp).

Гаджиев Б.Р., Сеидов М.-Г.Ю., Абдурахманов В.Р. Несоизмеримо несоизмеримый фазовый переход в последовательности структурных фазовых превращений в слоистом кристалле TlInS2 // ФТТ. – 1996. – Т. 38, №1. – С. 3-13.

Seyidov M.-H.Yu., Suleymanov R.A., Salehli F. Влияние отрицательного химического давления на температуры фазовых переходов в слоистом кристалле TlInS2 // ФТТ. – 2009. – Т.51. – №12. – С. 2365 – 2370.

Gomonnai O.O., Rosul R.R., Gura-nich P.P., Slivka A.G., Roman I.Yu., Rigan M.Yu. Optical properties of TlInS2 layered crystal under pressure // High Pressure Research. – 2012. – V. 32. – No 1. – P. 39-42.

Gomonnai O.O., Guranich P.P., Ri-gan M.Y., Roman I.Y., Slivka A.G. Effect of hydrostatic pressure on phase transitions in ferroelectric TlInS2 // High Press. Research. -2003.- 28, P. 615-619.

Mikailov F.A., Basaran E., Mammadov T.G., Seyidov M.Y., Senturk E., Currat R., Dielectric susceptibility behaviour in the incommensurate phase of TlInS2 // Physica B. Condensed Matter. – 2003. – V. 334, № 1-2. – Р. 13-20.

Gomonnai A.A., Guranich P.P., Slivka A.G., Rigan M.Yu., Roman I.Yu. Pressure behaviour of pyroelectric coefficient in TlInS2 and TlGaSe2 layered crystals // FTVD.-2009, Vol. 19,

№1. - P. 151-156.

Гомоннай О.О., Гуранич П.П., Сливка О.Г., Риган М.Ю., Роман І.Ю. Залежність діелектричних властивостей кристалів TlInS2. від температури та гідростатичного тиску // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2009. – №23. – C. 126-129.

Guranich P.P., Rosul R.R., Gomonnai O.O., Slivka A.G., Roman I.Yu., Gomonnai A.V. Ferroelasticity of TlInS2 crystal // Solid State Communication (in press).

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-06-30

Номер

Том 35 (2014)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).