Вплив просторово-неоднорідних електричних полів на діелектричну проникність сегнетоелектрика

Автор(и)

  • В. М. Кедюлич Ужгородський національний університет, Україна
  • О. І. Герзанич Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Г. Сливка Ужгородський національний університет, Україна
  • П. М. Лукач Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1998.3.79-81

Ключові слова:

Електричне поле, Сегнетоелектрик, Діелектрична проникність

Анотація

Проведено феноменологічний аналіз поведінки діелектричної проникності сегнетоелектрика з ФП 2-го роду при просторово-неоднорідному розподілі електричного поля в кристалі. Показано, що такий розподіл має місце при наявності внутрішніх електричних полів. Для цього випадку розраховані залежності Тm(Е) та εmax(Е)

Посилання

H.H.Wieder, J. Appl. Phys., 30, 1010, (1959).

Б.Н.Ролов, В.Э.Юркевич, Термодинамика фазовых переходов в сегнетоактивных твердых растворах, Рига, Зинатне, (1978) 216с.

В.З.Бородин и др., Изв. АН СССР, сер. физ., 33, 7, 1101 (1969).

Кедюлич В.М. Матеріали міжрегіональної науково-практичної конференції "Фізика конденсованих систем" Ужгород, 23 січня 1998р. с.88.

##submission.downloads##

Опубліковано

1998-12-31

Номер

Розділ

Статті