Фазові переходи в кристалах CuInP<sub>2</sub>(Se<sub>x</sub>S<sub>1-x</sub>)<sub>6</sub> в області при всебічному стисненні та p,T,x - діаграма
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2010.27.21-28Ключові слова:
Високий тиск, Фазові переходи, Температура Кюрі, СегнетиелектрикАнотація
Досліджено вплив температури та гідростатичного тиску на аномалію діелектричної проникності при фазовому переході в кристалах CuInP2S6, CuInP2(Se0.02S0.98)6, CuInP2(Se0.1S0.9)6 та CuInP2(Se0.3S0.7)6. Показано, що відношення постійних Кюрі-Вейса в пара - і сегнетифазі при атмосферному тиску рівне за величиною 15 та 7, відповідно для CuInP2S6 та CuInP2(Se0.02S0.98)6, що є свідченням фазового переходу першого роду. Для кристалів CuInP2(Se0.1S0.9)6 та CuInP2(Se0.3S0.7)6 це відношення знаходиться в межах 2-4, що є характерним для фазових переходів поблизу критичної точки. Для досліджених кристалів під впливом тиску величина Сw зменшується, а температура Кюрі - зростає. Останнє для кристалів CuInP2S6 пояснюється на основі формули Клаузіуса-Клапейрона зменшенням при фазовому переході об’єму елементарної комірки кристалевої гратки та ентропії при пониженні температури.
Посилання
Maisonneuve V., Evain M., Payen C., Cajipe V.B., Molinie P. Room-temperature crystal structure of the layered CuIInIIIP2S6 // J.Alloys and Compounds. - 1995. - Vol. 218. - P. 157-164.
Maisonneuve V., Cajipe V.B., Simon A., Von Der Muhll R., Ravez J. Ferielectric ordering in lamellar CuInP2S6 // Phys. Rev. -1997. – Vol. 56. - №9. - P. 10860-10868.
Балог Й.С, Мотря С.Ф, Пріц І.П, Рущак М.М, Корда H.Ф, Кривський В.О. Синтез, вирощування та визначення основного складу кристалів-сегнетиелектриків системи CuInP2S6 - CuInP2Se6 // Науковий вісник УжНУ. Сер. Хімія. - 2005. - № 14. - С. 112-116.
Vysochanskij Yu.M., Molnar A.A., Gurzan M.I. and Cajipe V.B. Phase transitions in CuInP2(SexS1-x)6 layered crystals // Ferroelectrics. - 2001. - Vol. 257. - P. 147-154.
Bourdon X., Maisonneuve V. Cajipe V.B., Payen C., Fisher J.E. Copper sublattice ordering in layered CuMP2Se6(M=In,Cr) // J.Alloys Compounds. - 1999. - Vol. 283. - P. 122-127.
Герзанич О.І. Сегнетоелектрики групи під впливом високого тиску. - Львів: Видавець Сорока Т.Б., 2008. – 124 с.
Майор М.М, Врабель В.Т, Приц И.П, Корда H.Ф., Гурзан М.И, Высочанский Ю.М. Диелектрические свойства твердых растворов CuInP2(SeхS1-х)6 // Физика твердого тела. - 2005. - том 47. - №9. - С 1670 – 1675.
Shusta V.S., Prits I.P., Guranich P.P., Gerzanich E.I., Slivka A.G. Dielectric properties of CuInP2S6 crystals under high pressure // Condens. Matter. Phys. - 2007. - Vol. 10. - №1(49). - Р. 91-94.
Simon A, Ravez J., Maisonneuve V., Payen C., Cajipe V.B. Paraelectric – ferrielectric trantition in the lamellar thiophosphate CuInP2S6 // Chem. Mater.-1994. - Vol. 6. - № 9. - P. 1575-1580.
Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки: Перев. с англ. / Под ред. Л.А. Шувалова. - Москва: Мир, 1975. – 398 с.
Sorge G., Schmidt G., Hegenbarth E., Frenzel Ch. Pressure dependence of the elastic compliance S11 near the transition temperature of SrTi O3 // Phys. Stat. Sol. - 1970. - Vol. 37. - № 1. - P. K17-K18.
Лайнс М., Гласс А. Сегнетоелектрики и родственные им материалы: Перев. с англ. / Под ред. В.В. Леманова и Г.А. Смоленского.- Москва: Мир, 1981. – 736 с.
Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. - Москва: Наука, 1983. – 240 с.
Смоленский Г.А., Крайник Н.Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. - Москва: Наука, 1968. – 184 с.
Guranich P.P., Shusta V.S., Gerzanich E.I., Slivka A.G., Kuritca I. and Gomonnaj O. Influence of hydrostatic pressure on the dielectric properties of CuInP2S6 and CuInP2Se6 layered crystals // Journal of Physics: Conference Series. - 2007. - Vol. 79. № 1. - P. 1-4.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).