Фотоіндуковані зміни оптичних характеристик аморфних плівок системи As<sub>2</sub>S<sub>3</sub>-SbSi

Автор(и)

  • М. Дуркот Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації ІПРІ НАН України, Україна
  • В. Мар’ян Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації ІПРІ НАН України, Україна
  • М. Поп Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Рубіш Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації ІПРІ НАН України, Україна
  • І. Юркін Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2014.35.67-73

Ключові слова:

Aморфні плівки, Cпектри пропускання, оптичні параметри

Анотація

Приведені результати досліджень спектрів пропускання аморфних плівок
(As2S3)100-x(SbSI)x у залежності від умов експонування. Встановлено, що лазерне опро­мі­нення плівок (λ=530 нм) призводить до зсуву краю поглинання у довгохвильову область спектру. Визначені значення ширини псевдозабороненої зони Eg та показника заломлення n плівок. Показано, що з ростом часу опромінення Eg зменшується, а n – зростає. Зміни оптичних характеристик плівок обумовлені структурними перетворення­ми, які проходять в них під дією лазерного випромінювання. 

Посилання

Семак Д.Г., Різак В.М., Різак І.М. Фототермоструктурні перетворення халькогенідів. – Ужгород, Закарпаття, 1999. – 392 с.

Teteris J., Reinfelde M. Application of amorphous chalcogenide semiconducror thin films in optical recording technologies // J. Optoelectronics and Advanced Mat. – 2003. – V. 5, № 5. – P. 1355-1360.

Петров В.В., Крючин А.А., Костюке-вич С.О., Рубіш В.М. Неорганічна фотолітографія. – Київ: ІМФ НАНУ, 2007. – 195 с.

Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. – Киев: Академпериодика, 2007. – 283 с

Eggleton B.J., Davies B.L., Richardson K. Chalcogenide photonics // Nature photonics. – 2011. – V. 5. – P. 141-148

Герзанич Е.И, Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики типа АVBVICVII. – Москва: Наука, 1982. – 228 с.

Mural P. Micromachened infrared detec-tors based on pyroelectric thin films // Repts. Progr. Phys. – 2001. – V 64, №10 – P. 1339–1388.

Surthi S., Kotru S., Pandey R.K. SbSI films for ferroelectric memory applications // Integr. Ferroelectr. – 2002. – V 48, № 1. – P. 263-269.

Nowak M., Mroczek P., Duka P. et al. Using of textured polycrystalline SbSI in actuators // Sens. Actuators A Phys. – 2009. – V. 150, №2. – P. 251–256.

Рубіш В.М., Туряниця І.І., Козусенок О.В. та ін. Дослідження кінетики кристалізації тонких плівок (As2S3)x(SbSI)100-x. // Тез. доп. 3-ї Міжнар. науково-техн. конф. «Сенсор-на електроніка та мікросистемні технології» (СЕМСТ-3). – Одеса, Україна, 2008. – С. 355.

Козусенок О.В., Туряниця І.І., Мар’ян В.М. та ін. Особливості кристалізації аморфних плівок халькогенідів та халькогалогенідів сурми // Мат. XII Між нар. конф. «Фізика і технологія тонких плівок та наносистем» (МКФ ТТПН - XII). – Івано-Франківськ, Україна, 2009. – Т.2. – С. 221-222.

Козусенок А.В., Горина О.В., Гера Э.В. и др. Особенности кристаллизации аморфных пленок (As2S3)100-x(SbSI)x (53≤x≤90) // Тез. II Междунар. научн. конф. “Наноструктурные материалы − 2010: Беларусь − Россия − Украина”. − Киев, Украина, 2010. − С. 560.

Rubish V.M., Kozusenok O.V., Shtets P.P. et al. Crystallization study of (As2S3)100-x(SbSI)x amorphous films by optical method // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2012. – V. 15, N. 3. – P. 294-297.

Рубіш В.М., Туряниця І.І., Козусенок О.В. та ін. Параметри порогових термосенсорів на основі аморфних плівок (As2S3)x(SbSI)1-x. // Мат. Міжнар. конф. «Наноструктурні системи: тех-нології-структура-властивості-застосу-ван¬ня» (НСС-2008). – Ужгород «Водо-грай», Україна, 2008. – С. 198.

Rubish V.M., Gera E.V., Pop M.M. et al. Optical properties of As-Sb-S-I amorphous films // Mat. XIII Intern. conf.”Physics and technology of thin films and nanosystems (ICPTTFN-XIII)”. – Ivano-Frankovsk, Ukraine, 2011. – V 2. – P. 50.

Гера Е.В., Поп М.М., Мар’ян В.М. та ін. Фотостимульовані ефекти в аморфних плівках (As2S3)47(SbSI)53 // Тез. доп. V Укр. наук. конф. з фізики напів¬провідників (УНКФН-5). – Ужгород, 2011. – С. 430.

Shpak I.I., Studenyak I.P., Kranjčec M. Optical absorption edge and structural disorder in electron-irradiated As2S3 chalcogenide glasses // J. Optoelectronics and Advanced Mat. – 2003. – V. 5, № 5. – P. 1135-1138.

Petkov K. Compositional dependence of the photoinduced phenomena in thin chalcogenide films // J. Optoelectronics and Advanced Mat. – 2002. – V.4., №3. – P. 611-629.

Мар’ян В.М., Горват Г.Т., Поп М.М. та ін. Фотостимульовані зміни оптичних властивостей тонких плівок сульфідів германію та миш’яку // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – Т.9, №3. – С. 524-528.

Todorov R., Illiev Tz., Petkov K. Light-indused changes in the optical properties of thin films of Ge-S-B (Te, In) chalcogenides // J.Non-Cryst. Solids. – 2003. – V. 326-327. – P. 263-267.

Swanepoul R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci. Instrum. – 1983. – V.16. – P. 1214-1222.

Шпотюк О.И., Шварц К.К., Корне-люк В.Н. и др. Деструкционнополимеризационные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. – Рига: Изд-во ИФ Латвийской АН. – 1991. – 105 с.

Рубіш В.В., Рубіш В.М., Леонов Д.С. та ін. Особливості структури і структур-них перетворень в халькогенідних склоподібних напівпровідниках // На-но¬систе¬ми, наноматеріали, нано¬техно-логії. – 2004. – Т.2, № 2. – с. 417-440.

Рубіш В.М., Стефанович В.О., Гура-нич О.Г. та ін. Дослідження структури стекол системи As-Sb-S-I методом КР-спектро¬скопії // Наносистеми, ноно-матеріали, нанотехнології. – 2008. – Т.6, №4. – с. 1119-1127.

Barj M., Mykaylo O.A., Kaynts D.I. et al. Formation and structure of crysralline inclusions in As2S3-SbSI systems glass matrices // J. Non-Cryst. Solids. – 2011. – V 357, N 11-13. – P. 2232-2234.

Rubish V.M., Gasynets S.M., Gorina O.V. et al. Nanostructures with ferroelectric properties on the glassy and amorphous chalcohalogenides basis // Mat. XIV Intern. Conf “Physics and technology of thin films and nanosystems” (ICPTTFN-XIV). – Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2013 – P. 66.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-06-30

Номер

Том 35 (2014)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).