Сфокусоване джерело іонів для обробки тонких плівок мікроелектроніки

Автор(и)

  • O. I. Girka Харківський національний університет ім. В.Н.Каразіна, Україна
  • І. О. Bizyukov Харківський національний університет ім. В.Н.Каразіна, Україна
  • О. А. Bizyukov Харківський національний університет ім. В.Н.Каразіна, Україна
  • K. M. Sereda Харківський національний університет ім. В.Н.Каразіна, Україна
  • О. V. Romashchenko Східноукраїнський національний університет ім. В.І. Даля, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2011.30.45-51

Ключові слова:

Компактне іонне джерело, Топографія, Товщини функціонального слоя

Анотація

У роботі показано результати застосування оптимізованого компактного іонного джерела для коригуючого іонно-променевого травлення для регулювання товщини функціональних шарів мікроелектроніки з високою точністю. Функціональний шар на підкладці витравлюється скануючим сфокусованим іонним пучком, локалізація та потужність якого відповідає топографії неоднорідності товщини функціонального шару. Показано можливість регулювання розподілу товщини плівок по поверхні підкладок до +/-4 Å та зменшення шорсткості поверхні.

Посилання

Brown I.G. The Physics and Technology of Ion Sources (WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 2004).

Zhurin V.V., Kaufman H.R., Robinson R.S. Plasma Sources Sci. Technol., 8, R1 (1999).

Gutkin M., Bizyukov A., Sleptsov V., Bizyukov I., Sereda K., U.S. Patent #US 7,622,721 B2, 2008/0191629 A1.

Bizyukov A.A., Girka A.I., Sereda K.N.,

Nazarov A.V., Romaschenko E.V. Problems of Atomic Science and Technology, № 6, Series: Plasma Physics, 174 (2008).

Danilin B.S., Kireev V.Yu. The application of low-temperature plasmas for materials etching and cleaning (Energoatomizdat, Moskov, 1987) (in Russian).

Molokovskiy S.I., Sushkov A.D. Intensive electron and ion beams (Energija, Leningrad, 1972) (in Russian).

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-12-31

Номер

Том 30 (2011)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2011 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).