Квантово-механічні розрахунки зарядового стану атомів у монокристалах Cd<sub>2</sub>P<sub>3</sub>Cl(Br,I)
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.13.95-105Ключові слова:
Монокристал, Метод Хюккеля, Електронний енергетичний спектрАнотація
Побудовані кластерні моделі ідеальних та дефектних монокристалів сполук Cd2P3Г, де Г = Сl, Вr, І. На базі розширеного методу Хюккеля теоретично досліджено розподіл електронної заселеності на атомах та зміну зарядового стану атомів фосфору при заміні галогену у цих сполуках. З енергетичної точки зору розглянуто можливість утворення вакансій атомів фосфору та місця їх розташування в кристалічній гратці. Виявлено, що розрахунки як ідеальних, так і дефектних кристалів, не дають позитивну валентність атомів фосфору і не підтверджують двоханіонну-двохкатіонну модель їх зарядового стану в цих сполуках. Найбільше погоджується з даними розрахунків іонна формула Cd22+P31-Г1-.
Посилання
Rebban A., Yazbeck I., Lande R. Studes structurales et optiques des phases du type Cd2A3X (A=As,P; X=Cl, Br, J) et de leur solution solid // Mater. Res. Bull. 1981. V.16. N5. P 525-533.
Гам Н.С. Получение и свойства галогенофосфидов и арсенидов кадмия типа Cd2B3X // Всесоюз. конф. «Материалы для оптоэлектроники». Ужгород. 1980. С. 232.
Гам Н.С., Гасинец C.M., Козусенок A.В., Ковач Д.Ш., Попик Ю.В. Характер химического взаимодействия в системе Cd2P2 - CdJ2 и оптические свойства кристаллов Сd2Р3I // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1990. Т.26. №3. С. 480-483.
Олексиюк И.Д., Кикинеши А.А., Черешня В.М., Гам Н.С. Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Сd2Р3Г (Г=Сl, Br, J) // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1980. Т.16. №2. С. 351-353.
Donohue P.C. The synthesis and properties of Cd2P3Cl, Cd2P3Br and Cd2P3J // J. Solid State Chem. 1972. V.5. N5. P 71-74.
Козусенок O.B., Попик Ю.В., Брудка B.П. і інші. Особливості частотно-температурних залежностей електропровідності в напівпровідникових сполуках Сd2Р3І і Cd2P3Br // Науковий вісник УжНУ. Серія Фізика. 1997. №1. С. 68-72.
Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д., Берча Д.М. Сложные халькогениды и халькогалогениды (получение и свойства) / Под ред. Чепура Д.В. Львов: Вища школа. 1983. 184 с.
Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски М.: Мир 1982. 419 с.
Чуйко Г.П., Демьянчук Л.С. Кристаллохимическое исследование различных зарядовых состояний (Р1 и Р2) ионов фосфора в полупроводниковых дифосфидах - ZnP2 и CdP2. // Укр. хим. журнал. 1984. Т.50. №10. С. 1046-1049.
Кикинеши А.А., Черешня В.М., Гам Н.С., Семак Д.Г. Фотоэлектрические свойства монокристаллов Сd4Аs2Вr3 (J3). // Изв. вузов. Физика. 1984. №11. С. 110-112.
Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболев В.В. Полупроводниковые соединения группы AIIBV. М.: Наука. 1987. 200 с.
Ван Вазер. Фосфор и его соединения. М.: ИЛ. 1962. С. 175-192.
Дей К., Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. М.: Химия. 1976. 328 с.
Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Аноксидные материалы для электронной техники. Львов: Вища школа. 1989. 200 с.
Щембелов Г.А., Устынюк Ю.А., Мамаев В.М. и др. Квантово-химические методы расчета молекул. М.: Химия. 1980. 255 с.
Жоголев Д.А., Волков В.Б. Методы, алгоритмы и программы для квантово-химических расчетов молекул. Киев: Наукова думка. 1976. 212 с.
Зейф А.Н. Применение полуэмпирических методов МО ЛКАО к расчету кластерных моделей полупроводников и диэлектриков / Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников. Новосибирск: Наука. 1975. С. 6-10.
Михейкин И.Л., Абронин И.А., Жидомиров Г.М, Казанский В.Б. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели // Кинетика и катализ. 1977. Т. 18. №6. С. 1580-1583.
Basch Н., Viste A., Gray Н. Molecular orbital theory for octahedral and tetrahedral metal complexes // J. Chem. Phys. 1966. V.44. N1. P. 10-19.
Жидомиров Г.М., Багатурьянц А.А., Абронин И.А. Прикладная квантовая химия: Расчеты реакционной способности и механизмов химических реакций. М: Химия. 1979. 295 с.
Жихарев В.Н., Бунча В.Н. Механизм адсорбции воды на поверхности тетрагонального титаната бария / Сложные полупроводники (получение, свойства, применение). Ужгород. 1981. С. 8-19.
Гам Н.С. Получение и исследование физико-химических свойств соединений, образующихся в тройных системах Сd-Р(Аs)-Гал // Автореф. дисс. Львовский госуниверситет им. И.Я. Франко. - Львов, 1979, - С 19.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2003 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
