Механічна обробка кристалів сапфіра та виготовлення підкладок із них

Автор(и)

  • Д. І. Блецкан Науково-виробнича фірма “Технокристал”, Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Д. Блецкан Науково-виробнича фірма “Технокристал”, Ужгородський національний університет, Україна
  • О. Р. Лук’янчук Науково-виробнича фірма “Технокристал”, Ужгородський національний університет, Україна
  • А Л Машков Науково-виробнича фірма “Технокристал”, Ужгородський національний університет, Україна
  • Я. М. Пекар Науково-виробнича фірма “Технокристал”, Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2000.7.161-173

Ключові слова:

Сапфір, Нітрид галію, Гетероепітаксія

Анотація

Описані основні етапи технології виготовлення сапфірових пластин орієнтації (0001) з базовим зрізом (112̅0) для гетероепітаксії нітриду галію.

Посилання

Папков В.С., Цыбульников М.Б Эпитаксиальные кремневые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе - М: Энергия. 1979. 88с.

Ponce F.A., Bour DP. Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices. -Nature. 1997. V.386. P.351-359.

Мокеев О.К., Романов А С. Технология полупроводникового производства. - М.: Высш. школа. 1984.

Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук'янчук О.Р., Машков A.I., Пекар Я.М., Цифра В.І. Промислове вирощування моно-кристалів сапфіра видозміненим методом Кіропулоса. - Науковий вісник Ужгородського університету. Серія фізика. 2000. №6. С.221-240.

Рубин и сапфир. Под ред. Классен-Неклюдовой М.В., Багдасарова X С. -М.: Наука. 1974. 236 с.

Шубников А.В. Оптическая кристаллография. М.: Изд-во АН СССР. 1950. 275 с.

Грум-Гржимайло С.В. Приборы и методы для оптического исследования кристаллов. - М.: Наука. 1972. 127 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2000-12-31

Номер

Том 7 (2000)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2000 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).