Розсіювання повільних електронів поверхнями полікристалічного танталу та молібдену
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2010.27.72-82Ключові слова:
Адсорбція, Поверхня, Повільні електрони, Резонанс, Розсіювання, Електронна спектроскопія, Електронний спектрометрАнотація
Представлено вдосконалену конструкцію гіпоциклоїдального електронного спектрометра та нові можливості методики дослідження процесів зворотного розсіювання повільних (010 еВ) електронів поверхнями полікристалічних металів Mo і Ta. Проаналізовано одержані енергетичні залежності інтенсивності пружного відбивання на 180°, коефіцієнта повного відбивання та порогові спектри при зворотному розсіюванні електронів низьких енергій.
У порогових спектрах досліджуваних зразків виявлено тонку структуру, обумовлену утворенням резонансного стану 2πg молекули N2.
Посилання
Методы анализа поверхности / Под ред. А. Зандерны. М.: Мир, 1970. 582 с.
Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989. 568 с.
Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности. Под ред. Х. Ибаха. Рига: Зинатне, 1980. 315 с.
Feyer V.M., Popik T.Yu., Shpenik O.B., Popik Yu.V., Erdevdy M.M. Low-energy electron backscattering spectroscopy of Mg/Mo films // J. of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2002. V.122. P. 251-257.
Popik T.Yu., Feyer V.M., Shpenik O.B., Popik Yu.V. Low-energy electron spectroscopy of Si(100) and Ge(100) surfaces // Radiation
Physics and Chemistry. 2003. V.68/1-2. P. 251-256.
Popik T.Yu., Feyer V.M., Shpenik O.B., Popik Yu.V. Effect of Ge(lll) surface treatment on low-energy electron backscattering // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V.7, № 3, P. 1539-1546.
Popik T.Yu., Feyer V.M., Shpenik O.B., Popik Yu.V. Kinetics of residual gas adsorption on Ge(l 11) surface in low-energy electron backscattering // Applied Surface Science. 2006. 252. P. 3625-3631.
Шпеник О.Б., Эрдевди Н.М., Романюк Н.И., Попик Т.Ю., Завилопуло А.Н. Гипоциклоидальный электронный спектрометр для исследования упругого и неупругого обратного рассеяния электронов атомами, молекулами и поверхностью твердых тел // ПТЭ. - 1998. - Т. 41, № 1.- С. 66-73.
Вонсовский С.В., Изюмов Ю.А. Электронная теория переходных металлов // УФН. 1962. – Т. 77, вып. 3. – С. 377-448.
Bong-Soo Kim, Harmon B.N., David W. Lynch. Optical propetrties of Mo // Phys. Rev. B. 1989. V. 39, №9. – P. 5754-5757.
Weaver J.H., Lynch D.W., Olson C.G. Optical properties of V, Ta, and Mo from 0.1 to 35 eV // Phys. Rev. B. 1974. V.10, (Is.2). P. 501-516.
Alward J.F., Perlov C.M., Fong C.Y. Calculatad electronic properies and reflectivity of tantalum // Phys. Rev. B. – 1977. V.15, № 12. – P. 5724-5732.
Legoas S.B., Araujo A.A., Laks B. Self-consistent electronic structures of Mo(001) and W(001) surfaces // Phys. Rev. B. – 2000. V.61, №15. P. 10417-10426.
Ptasinska S., Sanche L. Dissociative electron attachment to abasic DNA // Phys. Chem. Chem. Phys. – 2007. – 9. – P. 1730-1735.
Грошковский Я. Техника высокого вакуума. – М.: Мир, 1975. – 622 с.
Илленбергер Е., Смирнов Б.М. Прилипание электрона к свободным и связанным молекулам // Успехи физических наук. – 1998. –Т.168, №7. – С. 731766.
Sanche Leon. Low-energy electron scattering from molecules on surface // J.Phys. B: At. Mol.Opt. Phys. 1990. –V.23. – P. 15971624.
Palmer R.E., Rous P.J. Resonances in electron scattering by molecules on surface // Reviws of Modern Physics. 1992. – V.64, №2 – P. 383440.
Gerber A., Herzenberg A. Resonance scattering of electron from N2 adsorbed on a metallic surface // Phys. Rev. B: Condens Matter. 1985. – V.31, №10. –P. 62196227.
Шпеник О.Б., Романюк Н.И., Чернишова И.В. Резонансная структура при упругом рассеянии электронов на 180° молекулами N2 и N2O // Письма в ЖТФ. – 1985. – Т. 41. – Вып. 12. – С. 500-502.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2019 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).