Край поглинання стекол системи As<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB> – SbSI

Автор(и)

  • О. Г. Гуранич Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації ІПРІ НАН України, Україна
  • В. М. Рубіш Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації ІПРІ НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2008.22.48-52

Ключові слова:

Край поглинання, Cтікла, Система As<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB> – SbSI

Анотація

Наведені результати досліджень краю фундаментального поглинання стекол системи As2S3 – SbSI. Встановлено, що зі збільшенням вмісту SbSI у складі стекол та температури, край поглинання зміщується у довгохвильову область. Визначені значення енергетичного положення краю поглинання Еgα. Зміна нахилу краю поглинання в області ТgTc обумовлена переходом скла у полярний стан і наступною його кристалізацією.

Посилання

Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики типа АVВVIСVII – М.: Наука, 1982. – 228с.

Рубіш В.М., Гуранич О.Г., Леонов Д.С. Формування сегнетоелектричних включень в матриці халькогенідного скла // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2005. – Т.3, №4. – С.911-920.

Шпак А.П., Рубиш В.М., Гуранич О.Г. Наноструктурные материалы на основе халькогенидных стекол // Мат. Міжнар. науково-практ. конф. «Структурна релаксація у твердих тілах». – Вінниця, Україна, 2006. – С.97-98.

Shpak A.P., Rubish V.M., Mykaylo O.A., Guranich O.G., Rubish V.V., Stefanovich V.A., Guranich P.P., Rigan M.Yu. Nanostructural ferroelectric materials basis on chalcogenide glasses // Abstr. 1st Intern. Symposium on Innovations in Advanced Materials for Electronics & Optics (ISIAMEO-1). – La Rochell France, 2006. – V.3. – P.7.

Shpak A.P., Rubish V.M., Rubish V.V., Guranich O.G. Formation of nanostructures in amorphous and vitreous systems of arsenic and antimony chalcogenides // Mat. Intern. Meeting ”Clusters and nanostructured materials (CNM ` 2006)”. – Uzhgorod - `Karpaty`, Ukraine, 2006. – P.1. - P.318.

Rubish V.M., Guranich O.G., Rubish V.V. Structure and properties of As40S60-xSex glasses // Photoelectronics, 2007. – №16. –З. 41-45.

Рубіш В.М., Штець П.П., Рубіш В.В., Семак Д.І. Структура ближнього порядку у склах системи Sb2S3 –SbI3 // Наук. вісник Ужгород. ун-ту. Серія Фізика, 2000. – Вип.7. – С.58-62.

Rubish V.M. Thermostimulated relaxation of SbSI glass structure // J. of Optoelectronics and Advanced Mat., 2001. – V.3, №4. – Р. 941-944.

Рубиш В.М., Гуранич О.Г., Стефанович В.А., Гасинец С.М., Шпирко Г.М., Штец П.П., Гуранич П.П. Динамика структуры и оптических параметров стекол системы As2S3 – SbSI // Мат. Міжнар. науково-практ. конф. «Структурна релаксація у твердих тілах». – Вінниця, Україна, 2006. – С.144-145.

Rubish V.M., Guranich O.G., Stefanovich V.O. Raman study of glasses and nanostructures on their basis in As-Sb-S-I systems // Mat. Intern. Meeting ”Clusters and nanostructured materials (CNM`2006)”. – Uzhgorod Karpaty, Ukraine, 2006. – Р.1.– P.319.

Гутенев М.С., Иванова Н.И. Распределение структурных групп в стеклах квазибинарных систем (AXn)x (BXm)1-x (где A, B–Ge, As, Sb; X–S, Se) по данным диэлькометрии и магнетохимии // Физ. и химия стекла, 1987. – Т.13., №3. – С. 454-458.

Шпак А.П., Рубіш В.М. Склоутворення і властивості сплавів в халькогенідних системах на основі миш’яку та сурми. – К.: ІМФ НАНУ, 2006. – 120 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2008-06-30

Номер

Розділ

Статті