Низькотемпературна діелектрична релаксація в кристалах типу Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>

Автор(и)

  • М. М. Медулич Ужгородський національний університет, Україна
  • М. М. Майор Ужгородський національний університет, Україна
  • А. А. Когутич Ужгородський національний університет, Україна
  • С. Ф. Мотря Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.22-27

Ключові слова:

Діелектрична проникність, Сегнетоелектрики, Діелектрична аномалія, Нематична фаза, Ангармонізм, Поляризація

Анотація

Досліджено природу діелектричної аномалії в кристалі Sn2P2S6,що має місце в температурному інтервалі 150-250 К. Встановлено, що діелектрична аномалія має релаксаційний характер і обумовлена переважно нелінійною складовою в діелектричному відгуку доменних стінок. Із аналізу поведінки комплексу фізичних властивостей кристала Sn2P2S6 в даній температурній області робиться припущення, що аномальна поведінка релаксаційного відгуку доменної структури є наслідком різкого зростання ангармонізму кристалічної гратки.

Посилання

Huang Y.N., Wang X. Li, Y.N., Shen H.M., Zhang Z.F., Fang C.S., Zhuo S.H., Fung P.C.W. Domain freezing in potassium dihydrogen phosphate, triglycine sulphate, and CuAlZnNi // Phys.Rev.B. – 1997. – 55. – P. 16159-16166.

Hegenbarth E. Proceeding 6-th International symposium “High-Purity materials in Science and Technology” // Dresden. – 1985. – P. 94.

Гурзан М.И., Корда Н.Ф., Высочанский Ю.М., Майор М.М. Получение и некоторые свойства кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 // Всесоюзная конференция по материаловедению халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников. – Черновцы. – 1986. – Т.1. – С. 199.

Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Сегнетоелектрики семейства Sn2P2S6 в окрестности точки Лифшица. – Львов. – 1994. – 264 c.

Eijt S. Structure and dynamics of type 2 incommensurate crystals. A study of the Sn2P2Se6 group // PhD dissertation. Nijmegen. – 1997. – 170 p.

Moriya K., Kumiyoshi H., Tashita K., Ozaki Y., Jano Sh. and Matsuo T. Ferroelectric phase transition in Sn2P2S6 and Sn2P2Se6 crystals // J.Phys.Soc.Japan. – 1998. – V.67. – P. 3505-3511.

Майор М.М., Коперльос Б.М., Савченко Б.А., Гурзан М.И.,

Морозова О.В., Корда Н.Ф. Теплоемкость и линейное расширение кристаллов Sn2P2(SеxS1-x) 6 в области фазовых переходов // ФТТ. – 1983. – Т.25. – С. 214-223.

Rushchanskii K.Z., Vysochanskii Yu.M., Strauch D. Ferroelectricity, nonlinear dynamics and relaxation effects in monoclinic Sn2P2S6 // Phys. Rev. Lett. – 2007. – V.99. – P. 207601-1 -207601-4.

Fu J. On the Landau theory of phase transition: a hierarchical dynamic model // J. Phys: Condens. Matter. – 2013. – 25. – P. 075903-075909.

Loosderecht van P.H.M., Maior M.M., Molnar S.B., Vysochanskii Yu.M., Bentum van P.J.M., Kempen van H. Raman study of the ferroelectric semiconductor Sn2P2Se6 // Phys. Rev.B. – 1993. – V.48, N9. – P. 1070-1077.

Kiselev D.A., Rushchanskii K.Z., Bdikin I.K., Malinkovoch M.D., Parkhomenko Y.N. and Vysochanskii Yu.M. Theoretical Prediction and Direct Observation of Metastable Non-Polar Regions in Domain Structure of Sn2P2S6 Ferroelectrics with Triple-Well Potential // Ferroelectrics. – 2012. – 438. – P. 55-67.

Різак В.М., Різак І.М., Семак Д.Г. Функціональні халькогенідні напівпровідники / Різак В.М., Різак І.М., Семак Д.Г. – Ужгород: Закарпаття, 2001. - 210 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-11-25

Номер

Том 34 (2013)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).