Еліпсометричне дослідження оптичних параметрів сегнетоелектричних твердих розчинів (Pb<sub>y</sub>Sn<sub>1-y</sub>)<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>

Автор(и)

  • М. И. Козак Ужгородський національний університет, Україна
  • Р. М. Биланич Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Н. Жихарев Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.28-33

Ключові слова:

Sn2P2S6, Сегнетоелектрик, Твердий розчин, Еліпсометрія

Анотація

В роботі вперше виконані вимірювання показників заломлення еліпсометричним методом для сегнето­електричних кристалів моноклінної сингонії Sn2P2S6 і Pb2P2S6, а також деяких їх твердих роз­чинів. В зв’язку з тим, що один із кристалографічних кутів лише незначно відріз­няється від прямого кута (91.15°), то розрахунок для моноклінного кристала проводився з незначною втратою точності, як для орторомбічного кристала. Показана також особливість відхилення твердих розчи­нів від строгої оптичної анізотропії, що прояв­ляється в неоднозначності визначення голов­них значень діелектричного тензора, показни­ків заломлення, що напевно зв’язано з відсутністю трансляційної симетрії в підгратках заміщуваних атомів Pb и Sn.

Посилання

Гомоннай А.В., Грабар А.А., Высочанский Ю.М. и др. Расщепление фазового перехода в сегнетоэлектрических твердых растворах // ФТТ. – 1981. – Т. 23, № 12. – С. 3602–3607.

Высочанский Ю.М., Фурцев В.Г., Хома М.М. и др. Расщепление сегнето-электрического фазового перехода в поле лазерного излучения и его самофокусировка // ЖЭТФ. – 1985. – Т. 89, № 9. – С. 939–945.

Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю., Ворошилов Ю.В. и др. Модель фазового перехода в сегнетополупроводнике Sn2P2S6 и динамика его решетки // ФТТ. – 1979. – Т. 21, № 8. – С. 2402–2408.

Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Аноксидные материалы для электронной техники. – Львов: Выща шк., 1989. – 200 с.

Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Сегнетоэлектрики семейства Sn2P2S6. Свойства в окресности точки Лифшица. – Львов: Выща шк., 1994. – 264 с.

Grabar A.A., Jazbinšek M., Shumelyuk A.N. et al. Photorefractive effects in Sn2P2S6 // Springer Series in Optical Sciences. – 2007. – V. 114. – P. 327-362.

Nitshe R., Wild P. Crystal growth of metal – phosphorus-sulfur compounds by vapor transport // Mat. Res. Bull. – 1970. – V. 5, № 6. – P. 419–424.

Becker R., Brockner W. Kristallstruktur und Schwingungsspektren des Di-Blei-Hexathiohypodiphosphates Pb2P2S6 // Z. Naturforsch. – 1983. – K. 38a. – S. 874 – 879.

Майор М.М. Диэлектрические свойства кристаллов Sn2P2S6 в зависимости от условий их получения // ФТТ. – 1999. – Т. 41, № 8. – C. 1456-1461.

Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электро-динамика сплошных сред. – М.: Наука, 1982. – 624 с.

Berreman D.W. // J. OSA. – 1972. – Vol. 62. – P. 502-510.

Козак М.И., Жихарев В.Н., Студеняк И.П., Сейковский И.Д. Эллипсометрическое определение оптических констант тонких пленок стеклообразного As 2S3 в области слабого поглощения // Опт. и спектр. – 2006. – Т. 101, №4. – С.604-606.

Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. – М.: Мир, 1981. – 584 c.

Грабар А.А., Высочанский Ю.М., Перечинский С.И. и др. // ФТТ. – 1984. – Т. 26, № 11. – С. 3469.

Haertle D., Caimi G., Haldi A. et al. Electro-optical properties of Sn2P2S6 // Opt. commun. – 2003. – Vol. 215. – P. 333-343.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-11-25

Номер

Розділ

Статті