Термодинамічний і кінетичний аналіз власних дефектів у нітриді галію

Автор(и)

  • І. В. Рогозін Бердянський державний педагогічний університет, Україна
  • О. В. Мараховський Бердянський державний педагогічний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.14.46-51

Анотація

Проведено термодинамічний аналіз складу власних дефектів у GaN. Розглянуто причини, що визначають схильність GaN до монополярного типу провідності. Запропоновано кінетичну модель дефектоутворення.

Посилання

S. Nakamura, S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, Appl. Phys. Lett., 68,2105 (1996)

S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai, Japan. J. Appl. Phys., 31, LI39 (1992)

C.G.Van de Walle, N.M.Jonson, In: Semiconductors and Semimetals, ed. by J.I.Pankove and T.D. Moustakas (Academic, San Diego, 1999), Vol. 54, Chap. 4

W.Gцtz and N.M.Jonson, In: Semiconductors and Semimetals, ed. J.I.Pankove and T.D.Moustakas (Academic, San Diego, 1999) Vol. 54, Chap. 5

J.Neugebauer and C.G.Van de Walle, Phys. Rev.B, 50, 8067 (1994)

P.Boguslawski, E.L.Briggs and J.Bem- holc: Phys. Rev.B, 51, 17255 (1995)

H.Obloh, K.RBachem, U.Kaufinann, M.Kunzer, M. Maier, A. Ramakrishnan, P. Schlotter: J. Cryst. Growth, 195, 270 (1998)

J.Neugebauer, C.G.Van de Walle, Appl. Phys. Lett., 69, 503 (1995).

E.R.Glaser, T.A.Kennedy et. al., Appl. Phys. Lett., 63 (19), 2673 (1993).

T.L.Tansley, R.J.Egan, Phys. Rev. В 45, 10942 (1992).

C.G.Van de Walle, Phys. Rev. В 57, 10020 (1997).

C.G.Van de Walle, C.Stampfl, J.Neugebauer: J. Cryst. Growth, 189-190, 505 (1998).

M.Ilegems, R.Dingle, R.A.Logan, J. Appl. Phys. 43,3739 (1972).

А.М.Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров (Высшая школа, Москва, 1982).

J.W.Orton, Semicond. Sei. Technol., 10,101 (1995)

M.Grzegory, M.Bockowski, В .Lucznik, S.Krukowski, M.Wroblewski, S.Porowski: MRS Internet J. Nitride Semicond., 1,20(1996)

N.Przhevalskii, S.Yu.Karpov, Yu.N.Makarov, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 30 (1998)

F.K.Koschnic, K.Michael, J.-M.Spaeth, В.Beaumount, P.Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond., 1, 9 (1996)

A.N.Georgobiani, M.B.Kotlyarevsky, Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 61, 341 (1998)

##submission.downloads##

Опубліковано

2003-12-25

Номер

Том 14 (2003)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2003 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).