Електрична провідність та край поглинання кристалів Cu<sub>7</sub>SiS<sub>5</sub>I

Автор(и)

  • В. В. Біланчук Ужгородський національний університет, Україна
  • Й. Й. Раті Ужгородський національний університет, Україна
  • І. П. Студеняк Ужгородський національний університет, Україна
  • Ю. Баніс Вільнюський університет, Литва

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.34-39

Ключові слова:

Суперіонний кристал, Електропровідність, Край поглинання, Правило Урбаха, Оптична псевдощілина

Анотація

В роботі наведено результати експериментальних досліджень частотної та темпера­турної поведінки електропровідності суперіонного кристала Cu7SiS5I в частотному діапазоні 1.0×106–1.2×109 Гц та температурному інтервалі 100-300 К. За результатами досліджень спектральних залежностей коефіцієнта поглинання показано, що в інтервалі температур 77-300 К край поглинання має експоненціальну форму, а його температурна поведінка описується правилом Урбаха. Встановлено, що температурні залежності таких параметрів урбахівського краю поглинання як оптична псевдощілина та урбахівська енергія описуються в рамках моделі Ейнштейна.

Посилання

Kuhs W.F., Nitsche R., Scheunemann K. The argyrodites – a new family of the tetrahedrally close-packed srtuctures // Mater. Res. Bull. – 1979. – Vol. 14. – P. 241–248.

Студеняк І.П., Краньчец M. Процеси розупорядкування в суперіонних провідниках зі структурою аргіро-дита. – Ужгород: Говерла, 2007. – 208 с.

Studenyak I.P., Kokhan O.P., Kranjčec M., Hrechyn M.I., Panko V.V. Crystal growth and phase interaction studies in Cu7GeS5I – Cu7SiS5I superionic system // J. Cryst. Growth – 2007. – Vol. 306. – P. 326–329.

Orliukas A.F., Kezionis A., Kazakevicius E. Impedance spectroscopy of solid electrolytes in the radio frequency range // Solid State Ionics – 2005. – Vol. 176. – P. 2037-2043.

Studenyak I.P., Kranjčec M., Kovacs Gy.Sh., Panko V.V., Desnica D.I., Slivka A.G., Guranich P.P. The effect of temperature and pressure on the optical absorption edge in Cu6PS5X (X=Cl, Br, I) crystals // J. Phys. Chem. Solids – 1999. – Vol. 60. – P. 1897–1904.

Urbach F. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and electronic absorption of solids // Phys. Rev. – 1953. – Vol. 92. – P. 1324–1326.

Kurik M.V. Urbach rule (Review) // Phys. Stat. Sol. (a) – 1971. – Vol. 8, №1. – P.9-30.

Studenyak I.P., Kranjcec M., Kovacs Gy.Sh., Panko V.V., Azhnyuk Yu.M., Desnica D.I., Borets O.M., Voroshilov Yu.V. Fundamental optical absorption edge and exciton-phonon interaction in Cu6PS5Br superionic ferroelastic // Mat. Sci. & Engin. – 1998. – Vol.B52. – P.202-207.

Dow J.D., Redfield D. Toward a unified theory of Urbach’s rule and exponential absorption edge // Phys. Rev. B – 1972. – Vol.5. – P. 594-610.

Samuel L., Brada Y., Burger A., Roth M. Urbach rule in mixed single crystals of ZnxCd1-xSe // Phys. Rev. B – 1987. – Vol. 36. – P. 1168-1173.

Beaudoin M., DeVries A.J.G., Johnson S.R., Laman H., Tiedje T. Optical absorption edge of semi-insulating GaAs and InP at high temperatures // Appl. Phys. Lett. – 1997. – Vol.70. – P. 3540–3542.

Yang Z., Homewood K.P., Finney M.S., Harry M.A., Reeson K.J. Optical absorption study of ion beam synthesized polycrystalline semiconducting FeSi2 // J. Appl. Phys. – 1995. – Vol.78. – P. 1958–1963.

Cody G.D., Tiedje T., Abeles B., Brooks B., Goldstein Y. Disorder and the optical-absorption edge of hydrogenated amorphus silicon // Phys. Rev. Letters – 1981. – Vol.47. – P. 1480–1483.

Grein C.H., John S. Effects of acoustic- and optical-phonon sidebands on the fundamental optical-absorption edge in crystals and disordered semiconductors // Phys. Rev. B – 1990. – Vol.41. – P.7641-7646.

Studenyak I.P., Kranjčec M., Kurik M.V. Urbach rule and disordering processes in Cu6P(S1-xSex)5Br1-yIy superionic conductors // J. Phys. Chem. Solids – 2006. – Vol.67. – P. 807–817.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-11-25

Номер

Том 34 (2013)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).