Зондування різномодифікованих поверхонь Gе(111) повільними електронами
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.14.11-15Анотація
Методом зворотного розсіювання електронів низьких енергій (0-6 еВ) з використанням гіпоциклоїдального електронного спектрометра з високим енергетичним розділенням (~70 меВ) досліджено процеси електронного збудження поверхневих та об’ємних електронних станів для різномодифікованих (шліфованої, полірованої та травленої) поверхонь Gе(111). Досліджено енергетичні залежності інтенсивності пружного зворотного розсіювання та спектри енергетичних втрат. Встановлено, що спектри зворотного розсіювання чутливі до стану поверхні, а їх тонка структура обумовлена збудженням поверхневих і об’ємних електронних станів.
Посилання
Х.Ибах, Применение электронной спектроскопии для анализа поверх- ности (Зинатне, Рига, 1980).
С.А.Комолов, Интегральная вторично-электронная спектроскопия поверх¬ности (Изд. Ленинградского универси¬тета, Ленинград, 1986).
Д.Вудраф, Т.Делчар, Современные ме¬тоды исследования поверхности (Мир, Москва, 1989).
Б.А.Нестеренко, О.В.Снитко, Физические свойства атомарно-чистой по¬верхности полупроводников (Наукова думка, К., 1983).
Т.Ю.Попик, О.Б.Шпеник, Ю.В.Попик, ФТТ 43, 391(2001).
Т.Ю.Попик, В.М.Фейер, М.М.Ердевді, Ю.В.Попик, О.Б.Шпеник, УФЖ 46, 456 (2001).
T.Yu. Popik, O.B.Shpenik, P.P.Puga, Yu.V.Popik, J. Optoelectron. Adv. Mater. 2,171(2000).
O.B.Shpenik, T.Yu.Popik, V.M.Feyer, Yu.V.Popik, Physica B 315, 133 (2002).
T.Yu.Popik, V.M.Feyer, O.B.Shpenik, Yu.V.Popik, Surf. Sci. 491,175 (2001).
T.Yu.Popik, V.M.Feyer, O.B.Shpenik, Yu.V.Popik, Surf. Sci. 499, LI 13 (2002).
V.M.Feyer, T.Yu.Popik, O.B.Shpenik, Yu.V.Popik, M.M.Erdevdy, J. Electron Spectroscopy and Related Phenomena 122,251 (2002).
О.Б. Шпеник, Н.М. Эрдевди, Н.И. Романюк, Т.Ю. Попик, А.Н. Завилопуло, ПТЭ 41,66(1998).
К. Сангвал, Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение (Мир, Москва, 1990).
A.Goldoni, A.Santoni, M.Sancrotti, V.R.Dhanak, S.Modesti, Surf. Sci. 382, 336(1997).
R.D.Bringans, H.Höchst, Phys. Rev. B. 25,1081 (1982).
A.L.Wachs, T.Miller, T.C.Hsieh, A.P.Shapiro, T.-C.Chiang, Phys. Rev. B 32, 2326 (1985).
R.D. Bringans, R.LG. Uhrberg, R.Z. Bachrach, Phys. Rev. B 34, 2373 (1986).
И.М. Цидильковский, Зонная структура полупроводников (Наука, Физмат-издат, Москва, 1978).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2003 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
