Видима фотолюмінесценція при кімнатній температурі в g- As<sub>2</sub>S<sub>3</sub> та в стеклах на основі Ge

Автор(и)

  • G. Lovas Ужгородський національний університет, Україна
  • V. Mitsa Ужгородський національний університет, Україна
  • R. Holomb Ужгородський національний університет, Україна
  • I. Rosola Ужгородський національний університет, Україна
  • E. Borkach Закарпатський угорський інститут ім. Ф.Ракоці II, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.54-58

Ключові слова:

Видима фотолюмінесценція, Халькогенідне скло, Окисна фаза, Край поглинання, GeS2

Анотація

Фотолюмінесцентне випромінювання, що спостерігалося зі сколу стекол на основі GeS2 при старінні, віднесено до окисної фази, що утворилася на поверхні стекол під час тривалого зберігання зразків на повітрі. Усі ФЛ максимуми пов'язані з центрами GeОx,зникли з фотолюмінесцентного спектру, коли фотолюмінесцентний спектр був знятий зі свіжесколотої поверхні з об'ємного скла g-GeS2(T3V2).

Посилання

Zalkovsij M., Bisgaard C. Zoffman, Novitsky A., Malureanu R., Savastru D., Popescu A., Jepsen P.U., Lavrinenko A.V. Ultraboardband terahertz spectroscopy of chalcogenide glasses // Applied Physics Latters. 2012. - vol. 100. - P. 031901-1-031901-6.

Mitsa V., Holomb R., Veres M., Mar¬ton A., Rosola I., Fekeshgazi I., Koós M. Non-linear optical properties and structure of wide band gap non-crystalline semiconductors // Phys. Stat. Sol. C. - vol. 8. - № 9. – 2011. - P. 2696-2700.

Liu X., Naftaly M., Iha A. Spectroscopic evidence for oxide dopant sites in GeS2-based glasses using visible photo-luminescence from Pr3+ probe ions // Journal of Luminescence. - vol. 96. - 2002. - P. 227-238.

Gamulin O., Ivanda M., Mitsa V., Balarin M., Kosovic M. Monitoring structural phase transition of (Ge2S3)x(As2S3)1-x chalcogenide glass with Raman spectroscopy // Journal of Molecular Structure. - vol. 993. - 2011. – P. 264–268.

Eggleton B.J., Luther-Davies B., Richardson K. Chalcogenide photonics // Nature Photonics. - vol. 5. – 2011. - P. 141-148.

Mitsa V., Babinets Y., Gvardionov Y. and Yermolovich I. Photoluminescence in GexAsyS1-x-y by varying the average coordination number // J. of Non-Crystalline Solids. - vol. 137&138. – 1991. - P. 959-962.

Popescu M. Non-Crystalline Chalcogenides // KluwerAcademic Publishers. – New York. – 2000.

Kolobov A.V. Photo-induced metastability in amorphous semiconductors // Wiley-VCH. - 2003.

Fairman R. and Ushkov B. Semiconducting Chalcogenide Glass.

P.I–III. P.I. Glass formation,structure, and simulated transformations inchalcogenide glass; P. II. Properties of glasses // Elsevier. - 2004.

Davydova N.A., Bondar N.V., Tyschenko V.V. Photoiduced effects in luminescent spectra of chalcogenide glasses // Journal of Applied Spectroscopy. - vol. 69. – 2002. - P. 258-262.

Nakanishi 3.T., Tomii Y., Hachiya K. Temperature dependence of the photoinduced fatigue-recovery phenomena of photoluminescence under prolonged irradiation in GeS2 chalcogenide glass // J. of Non-Crystalline Solids. - vol. 354. – 2008. - P. 1627-1632.

Terakado N., Tanaka K. Does the charged defect exist in nano-structured chalcogenide glass? // Applied Physics Express. - vol. 1. – 2008. - P. 081501-1-081501-3.

Holomb R., Mitsa V., Petrachenkov O., Veres M., Stronski A. and Vlček M. Comparison of structural transformations in bulk and as-evaporated optical media under action of polychromatic or photon-energy dependent monochromatic illumination // Phys. Stat. Sol. C. - vol. 8. - № 9. – 2011. - P. 2705-2708.

Murayama K., Bösch M.A. Radiative recombination in crystalline As2S3 // Physical Review B. - vol. 23. – 1981. - P. 6810-6812.

Tanaka K. Excitation-energy-dependent photoluminescence in glassy As–S and crystalline As2S3 // Phys. Status Solidi B. - vol. 1–6. – 2013. - DOI 10.1002/pssb.201248519.

Kartopu G., Bayliss S.C., Karavansckii V.A., Curry R.J., Turan R., Sapelkin A.V. On the origin of the 2.2-2.3 photoluminescence from chemically etched germanium // J of Luminescence. - vol. 101. – 2003. - P. 275-283.

Ko T.S., Shieh J., Yang M.C., Lu T.C., Kuo H.C., Wang S.C. Phase transformation and optical characteristics of porous germanium thin films // This Solid Films. - vol. 516. – 2008. - P. 2934-2938.

Sun K.W., Sue S.H., Liu C.W. Visible luminescence from Ge quantum dots // Physica E. - vol. 28. – 2005. - P. 525-530.

Lezal D. Chalcogenide glasses – survay and progress // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - vol. 5. -2003. - P. 23–34.

Bishop S.G., Shanabrook B.V., Strom U. and Taylor P.C. Comperison of optically induced localized states in chalcogenide glasses and their crystalline counterparts // J. De Phisique E. - vol. 42. – 1981. - P. C4-383-C4-386.

Mingfa Peng, Yang Li, Jing Gao, Duo Zhang, Zheng Jiang, Xuhui Sun. Electronic Structure and Photoluminescence Origin of Single-Crystalline Germanium Oxide Nanowires with Green Light Emission // J. Phys. Chem. C. - vol. 115. – 2011. - P. 11420–11426.

Zyubin A.S., Mebel A.M., Lin S.H. Photoluminescence of oxygen-deficient defects in germanium oxides: A quantum chemical study // The Journal of Chemical Physics. - vol. 125. – 2006. - P. 064701-0647011.

Holomb R., Johansson P., Mitsa V., Rosola I. Local structure of technologically modified g-GeS2: resonant Raman and absorption edge spectroscopy combined with ab initio calculations // Philosophical Magazine. - 2005. - vol. 85.- P. 2947-2960.

Banik I. On photoluminescence in chalcogenide glasses based on barrier-cluster model // J. of Non – Oxide and Photonic Glasses. - vol. 1. – 2009. - P. 29-33

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-11-25

Номер

Том 34 (2013)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).