Підвищення квантового виходу фотолюмінесценції шарів поруватого кремнію оптимізацією параметрів анодизації

Автор(и)

  • Д. Ф. Тімохов Одеський національний університет ім. І Л.Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.14.113-118

Анотація

Досліджено можливі шляхи підвищення квантового виходу фотолюмінесценції шарів поруватого кремнію. Вивчено вплив параметрів анодизації на фотолюмінесцентні властивості шарів поруватого кремнію, отриманих на пластинах кремнію з різною кристалографічною орієнтацією. Запропоновано модель, що пояснює вплив кристалографічної орієнтації підкладки на фотолюмінесцентні властивості шарів поруватого кремнію, які утворюються під час анодизації. Виявлено значне збільшення квантового виходу фотолюмінесценції поруватого кремнію при додаванні НСl в електроліт.

Посилання

L.T.Canham, Appl. Phys, Let., 57, 1046 (1990).

R.L.Smith, S.D.Collins, J. Appl. Phys., 71, R1 (1992).

P.M.M.Bressers, J.W.J.Knaper, E.A. Meu- lenkamp, JJ.Kelly, Appl. Phys. Let. 61, 108(1992).

P.C.Searson, S.M.Prokes, O.J.Clemocki, J. Electrochem. Soc. 140, 3327 (1993).

A.G.Gullis, L.T.Canham, P.D.J.Carlott, J. Appl. Phys. 82, 909(1997).

X.S.Chen, J.J.Zhao, G.G.Wang et. al., Phys. Let. A 212, 285(1996).

J.Eddowes, J. Elcctroanal. Chem. 280, 297 (1990).

D.Brumhead, L.T.Canham, P.M.Seekings, PJ.Tuflon, Electrochem. Acta 38, 191 (1993).

Y.Kancmitsu, Phys. Rev. B 49, 16845 (1994).

##submission.downloads##

Опубліковано

2003-12-25

Номер

Розділ

Статті