Аналіз критичної поведінки гіротропії при фазових переходах у кристалах

Автор(и)

  • О. С. Кушнір Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • Р. Я. Шопа Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.14.142-148

Анотація

За результатами експериментальних даних для оптичної активності кристалів Рb5(Ge1.хSix)3O11, (Рb1-xВах)5Ge3О11 і (NН3С3Н7)2МnСl4 проаналізовано вплив флуктуацій параметра порядку фазових переходів у цих кристалах на оптичні властивості. Використано підхід, що грунтується на введенні до теорії Ландау першої флуктуаційної поправки. Розраховано кількісні параметри обраної моделі. Результати аналізу засвідчують можливість застосування моделі для опису критичної поведінки при власних сегнетоелектричних і несумірно модульованих фазових переходах.

Посилання

Б.А.Струков, А.П.Леванюк, Физические основы сегнетоэлектрических яв¬лений в кристаллах (Наука, Москва, 1983).

N.R.Ivanov, A.P.Levanyuk, S.A.Minyukov, J.Kroupa, J.Fousek, J. Phys.: Con- dens. Matter. 2, 5777 (1990).

И.М.Ризак, В.М.Ризак, С.И.Перечинский, Ю.В.Высочанский, В.Ю.Сливка, Физ. тверд, тела 34, 3709 (1992).

О.Кушнір, І.Половинко, Р.Шопа, Вісн. Львів, ун-ту., сер. фіз. 35, 95 (2002).

O.G.Vlokh, L.A.Lazko, Y.I.Shopa, J. Phys. Soc. Japan, Suppl. В 49, 150 (1980).

K.Saito, J.Kobayashi, Phys. Rev. B. 45, 10264(1992).

J.Kobayashi, Japan. J. Appl. Phys. B. 30, 2416(1991).

P.E.Tomaszewski, Phase Transitions. 38, 127(1992).

O.C.Кушнір, Журн. фіз. дослідж. 6, 354 (2002).

##submission.downloads##

Опубліковано

2003-12-25

Номер

Розділ

Статті