Взаємодія фосфору з атомарно-чистими поверхнями Ge(100)

Автор(и)

  • П. Астаф'єв Запорізький державний університет, Україна
  • О. Ананьїна Запорізький державний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2003.14.188-194

Анотація

У роботі представлено результати квантовохімічних розрахунків адсорбції фосфору на атомарно-чисті поверхні Ge(100). Описано структури, які може утворювати фосфор на Ge(100)-2х1. Обговорюються фізичні причини утворення димерів Р-Р і Ge-Р на цих поверхнях. Розраховано адсорбційні бар'єри та енергії зв’язку адсорбованих атомів з поверхнею. Обговорюється вплив дефектів на механізм адсорбції і на електронний стан поверхні.

Посилання

Y.Tsukidate, M.Suemitsu, Applied Surface Science, 130-132, 282 (1998).

Y.Tsukidate, M.Suemitsu, Applied Surface Science, 151, 1-2,148 (1999).

N.Maity, L.-Q.Xia, S.E.Roadman, J.R.Engstrom, Surface Science, 344, 3, 203 (1995).

T.Hadjersi, Applied Surface Science, 185, 1-2, 140(2001).

F.Hirose, H. Sakamoto, Surface Science, 430, 540(1999).

A.S. Yanovsky, A.P. Kotlyarov, Вісник ЗДУ, 2, 198(1999).

А.Яновский, С.Коломоец, Поверхность. Физика, химия, механіка, 11, 36 (1997).

О.Ю.Ананьина, А.С.Яновский, А.П.Котляров, в сб.: Вакуумные Технологии и Оборудование (Харьков, 2003), с. 8-10.

С.Ю.Булавенко, И.Ф.Коваль. П.В.Мельник, Н.Г.Находкин, Изв. РАН. Сер. физ.,66, 1, 117(2002).

M.Сakmak, Y.O.Ciftci, G.P.Srivastava, K.Colako, In.: 21-st European Confйrence on Surface Science, Ed. By B.FIodgren (Malmф, 2002).

##submission.downloads##

Опубліковано

2003-12-25

Номер

Розділ

Статті