Дипольна Ізингівська модель для кристалів сім'ї Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub>
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.4.112-119Анотація
Обговорюється застосовність дипольної Ізингівської моделі для сегнетоелектричних кристалів сім’ї Sn2Р2S6. Аналізуються причини відмінності механізмів дипольного впорядкування в кристалах Sn2Р2S6 і Sn2Р2Se6, в т.ч. і в розрізі "фазовий перехід типу зміщення чи порядок - бсзпорядок". Описується склоподібна поведінка розбавлених дипольних моделей для твердих розчинів (РЬySn1-y)2Р2S(Se)6.Посилання
Ю.М. Височанський, В.Ю. Сливка, A.П. Бутурлакин, M.I. Гурзан, Д.В. Чепур, ФТТ. 20, 90 (1978).
Р.Н.М. van Loosdrecht. М.М. Maior, S.В. Molnar, Yu.M. Vysochanskii, P.I.M. van Bentum, H. van Kempen, Phys. Rev. B. 48, 6014 (1993).
S.W.H. Eijt, R. Currat, J.E. Lorenzo, P. Saint-Gregoire, B. Hennion, Yu.M. Vysochanskii, Eur. Phys. J. B. 5, 169 (1998).
Л.И. Ритус, H.C. Рослик, Ю.М. Высочанский, А.А. Грабар, В.Ю. Сливка, ФТТ. 27, 2225 (1985).
К. Moriya, H. Kuniyoshi, К. Tashita, Y. Ozaki, S. Yano, T. Matsuo, J. Phys. Soc. Jap. 67, 3505 (1998).
D. Baltrunas, A.A. Grabar, K. Mazeika, Yu.M. Vysochanskii, J. Phys.: Condens. Matter. 11, 2983 (1999).
B. Scott, M. Prcssprich, R.D. Willet, D.A. Cleary, J. Solid State Chem. 96, 294 (1992).
Yu.V. Voroshilov, M.V. Potorij, L.A. Sejkovskaja, A.V. Yatsenko, I.P. Prits, Sov. Phys. Crystallogr. 33, 761 (1988).
D.A. Apperley, R.K. Harris, D.A. Cleary, Chem. Matter. 5, 1772 (1993).
R. Enjalbert, J. Galy, Yu. Vysochanskii. A. Ouedraogo, P. Saint-Gregoire, Eur. Phys. J. B. 8, 169 (1999).
R. Israel, R. de Gelder, J.M. Smits, P.T. Beurskcns, S.W. Eijt, Th. Rasing, H. van Kempen, M.M. Maior, S.F. Motrja, Z. fur Kristallographie. 213, 34 (1998).
Б.А. Стуков, А.П. Леванюк, Физические основы сегнетоэлектрическнх явлений в кристаллах, Наука, Москва, 1995, 301 с.
J. Hlinka, Т. Janssen, V. Dvorak, J. Phys.: Condens. Matter. 11, 3209 (1999).
A.A. Грабар, Ю.М. Высочанский. В.Ю. Сливка, ФТТ. 10, 3086 (1984).
В.М. Ризак, Ю.М. Высочанский, А.А. Грабар, В.Ю. Сливка, ФТТ. 31, 154 (1989).
О.В. Дробнич, Ю.М. Височанський, Журнал фізичних досліджень. 2, 65 (1998).
A. Drobnich, Yu. Vysochanskii, Condensed Matter Physics. 1, 331 (1998).
A. Drobnich, Yu. Vysochanskii, Ferroelectrics. 22b, 37 (1999).
И.А. Фаворский,. Исследование фазовых переходов...: дисс. докт. наук, Ленинград, 1989.
Ю.М. Высочанский, В.Ю. Сливка. Сегнетоэлектрики семейства Sn2Р2S6: свойства в окрестности точки Лифшица, Ориана-Нова, Львов, 1994, 264 с.
К. Moriya, К. Iwauchi, М. Ushida. А. Nakagawa, К. Watanabe, S. Yano, S. Motojima, Y. Akagi, J. Phys. Soc. Jap. 64, 1775 (1995).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 1999 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
