Вплив методу одержання на спектри фотопровідності шаруватих кристалів GеS

Автор(и)

  • Д. І. Блецкан Ужгородський державний університет, Україна
  • Й. Й. Маляр Ужгородський державний університет, Україна
  • С. В. Микуланинець Ужгородський державний університет, Україна
  • М. Ю. Січка Ужгородський державний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.4.151-158

Анотація

Досліджено вплив структурної досконалості шаруватих кристалів GеS на їх спектри фотопровідності (ФП). Показано, що в кристалах GеS, одержаних методом сублімації, з найбільш досконалою структурою, спектральний розподіл ФП визначається спектральним ходом коефіцієнта поглинання в області краю власного поглинання (де αd<<1) і спектральною залежністю коефіцієнта відбивання R в області, де αd>1. Фоточутливість в області hν<1,7 еВ при низьких температурах пояснюється фотоактивним поглинанням на домішкових рівнях, створених ізоелектронними домішками Si і Sn. По спектрам ФП в поляризація E||a і E||b аналізується характер анізотропії фотоактивного поглинання GеS. Розщеплення довгохвильового краю у поляризованому світлі і тонка структура спектрів ФП засвідчує про відповідність структури GеS.

Посилання

Блецкан Д.И. Спектры фотопроводимости монокристаллов GeS // ФТП. - 1980. - Т.14, №6. - С.1222-1224.

Блецкан Д.И. Фотоэлектрические свойства кристаллического и аморфного GeS // Укр. физ. журнал. - 1984. - Т.29, №3. - С.564-567.

Блецкан Д.И., Полажинец Н.В. Интерференционные осцилляции фототока в слоистых кристаллах GeS // Укр. физ. журнал. - 1983. - Т.28, №8. - С.1233-1235.

Wiley J.D., Pennington S., Schönherr E. Anisotropy of the intrinsic photocondactivity of GeS // Phys. Stat. Sol. (b). - 1979. - Vol.96, No1. - P. K43-K46.

Schönherr E. The growth of large crystals from the vapor phase // Growth and Properties. Berlien. - 1980. - P.51-118.

Wiley J.D., Thomas D., Schönherr E., Breitschwerdt A. The absorption edges of GeS and Urbach’s rule // J. Phys. Chem. Solids. - 1980. - Vol.41, No7. - P.801-808.

Grandke T., Ley L. Angular - resolved UV photoemission and the band structure of GeS // Phys. Rev. B. - 1977. - Vol.16, No2. - P.832-842.

Valiukonis G., Gashimzade F.M., Guseinova D.A., Krivaite G., Kulibekov A.M., Orudzhev G.S., Sileika A. Reflectance and thermoreflectance spectra and energy band structure of GeSe crystals // Phys. Stat. Solidi (b). - 1983. - Vol.117, No1. - P.81-92.

Wiley J.D., Вискеl W.J., Braun W, Fehrenbach G.W., Himpsel F.J., Koch E.E. Reflectivity of single-crystal GeS from 0,1 to 30 eV // Phys. Rev. B. - 1976. - Vol.14. No2. - P.691-701.

Lukes F., Schmidt E., Humlicek J., Dub P. Optical properties of GeS // Phys. Stat. Solidi (b). - 1984. - Vol.122, No2. - P.675- 686.

Девятых Г.Г., Краснова С.Г., Прончатов А.Н. Термодинамика взаимодействия расплава германия с кварцевым стеклом // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1987. - Т.23, №6. - С.1027-1030.

Senske W., Street R.A., Nowitzki А., Wiesner P.J. Luminescence of excitons in GeS // J. Luminiscence. - 1978. - Vol.16, No3. - P.343-352.

Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках // ЖЭТФ. - 1970. - Т.59, №10. - С.1343-1352.

##submission.downloads##

Опубліковано

1999-11-25

Номер

Розділ

Статті