Структура і фотоелектричні властивості кристалів PbGa<sub>2</sub>S<sub>4</sub> і PbGa<sub>2</sub>Se<sub>4</sub>

Автор(и)

  • D. I. Bletskan Ужгородський державний університет, Україна
  • Yu. V. Voroshilov Ужгородський державний університет, Україна
  • I. M. Durdinets Ужгородський державний університет, Україна
  • V. M. Kabacij Ужгородський державний університет, Україна
  • V. M. Holovey Ужгородський державний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.1999.4.168-176

Анотація

Методом Бріджемена-Стокбаргера одержані оптично однорідні кристали PbGa2S4 і PbGa2Se4, рентгеноструктурні дослідження яких підтвердили належність їх до ромбічної структури. Основними структурними елементами будови PbGa2S4 і PbGa2Se4 є тетраедри [GaX4] і тетрагональні антипризми [PbX8], (де X=S, Se). Структура кристалів належить до структурного типу SrIn2Se4, похідного від TlSe. Проведено комплексне дослідження електропровідності, термостимульованої провідності, спектрів фотопровідності і температурної залежності фотопровідності широкозонних потрійних кристалів PbGa2X4, що дозволило виявити та визначити основні параметри центрів прилипання та рекомбінації. В спектрах фотопровідності проявляються як власні, так і домішкові смуги, енергетичне положення та інтенсивність яких істотно змінюється із зміною температури. Заміщення S на Se в потрійних сполуках PbGa2X4 супроводжується збільшенням електропровідності і зменшенням ширини забороненої зони.

Посилання

Laskarev V.E., Liubchenko A.V., Sheinkman M.K. Non-equilibrium processes in photoconductors. - Kiev: Naukova dumka, 1981. - 264 p.

Chilounet A., Mazurier A., Guittard M. Systeme GaS-PbS diagramme de phase, etude cristallographique // Mater. Res. Bull. - 1979. - Vol.14, No9. - P.1119-1124.

Eholie R., Flahaut J. Etude de quelques sections du systeme ternaire Pb-Ga-Se // Bull. Soc. Chim. France. - 1972. - Vol.4, No4. - P.1245-1249.

Golovei V.M., Obolonchik V.A., Golovei M.I. A system Ga2S3-PbS // Zh. Neor. Cem. - 1981. - Vol.26, No7. - P.1976-1978.

Golovei V.M., Obolonchik V A., Lada A.V. Reception and research of some properties of PbGa2S4 // Izv. AN USSR. Neorgan. Materials. - 1981. - Vol.17, No3. - P.540-541.

Klee W., Schäfer H. Zut Kenntnis von PbAl2Se4 and. PbGa2Se4 // Mater. Res. Bull. - 1980. - Vol.15, No7. - P.1033-1038.

Peters T.E., Baglio J.A. Luminescence and structural properties of tiogallate phosphors Ce+3 and Eu+2 - activated phosphors // Part IJ. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology. - 1972. - Vol.119, No2. - P.230-236.

Neumann H., Horig W., Nooke G., Syrbu H.N. The fundamental absorption edge of PbGa2S4 // Solid State Communication. - 1988. - Vol.65, No2. - P.155-157.

Bube R. Photoconductivity of solids. – Moscow: Izd. inostr. lit., 1962. - 560 p.

Goriagdyiev G, Gorodetskij M.Ya., Liubchenko A.V., Nuriagdyien O., Sultanmuradov S. Temperature activation of doped photocurrent in crystals MgxCd1-xSe // Ukr. Fiz. Zhurn. - 1987. - Vol.32, No1. - P.137-141.

Garlick G.F.J., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulphide and silicate phosphorous // Proc. Fiz. Soc. - 1954. - Vol.50, Pt.2, No342. - P.574-577.

Vertoprahov V.A., Salman E.G. Thermally stimulated currents in inorganic substances. - Novosibirsk: Science, 1979. - 333 p.

##submission.downloads##

Опубліковано

1999-11-25

Номер

Том 4 (1999)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 1999 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).