Фоторезистивні шари на основі стекол системи As-S
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2009.25.61-64Анотація
Приведено результати досліджень можливості застосування аморфних плівок системи AsxS1-x, де 30≤х≤43As-S в якості фоторезистивних шарів. На основі вивчення залежностей швидкості розчинення, селективності, якості поверхні від складу, експозиції, рецептури і температури розчинника показано перспективність використання в якості ефективного травника морфоліну з активуючими добавками. Даний фоторезист характеризується високою селективністю, чіткими границями травлення та хорошою якістю поверхні.Посилання
Mamedov S. On the macromolecular mechanism of dissolution of As2S3 films in organic solutions / S. Mamedov // Thin Solid Films. - 1993. - V. 226. - P. 215-218.
Boyarskiy D. Influence of light on dissolution processes in chalcogenide glassy semiconductors / D. Boyarskiy // Acta Phys. Pol. – 1998 - V. A93, supplement- P. S – 29.
Костюкевич С.А. Формирование дифракционных оптических элементов с использованием неорганической лазерной литографии / С.А. Костюкевич, П.Е. Шепелявый, С.В. Свечников, Н.Л. Москаленко, В.М. Томчук, А.А. Контюх, А.В. Волков, Н.Л. Казанский, Г.Ф. Костюк // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2002. - Т.4, №3. - С. 17-24.
Мінько В.І. Зміна експозиційних характеристик халькогенідних фоторезистів під час зберігання / В.І. Мінько, П.Є. Шепелявий, П.Ф. Романенко, О.С. Литвин, І.З. Індутний // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - Т.5 .№3. - С. 589-593.
Orava J. Selective dissolution of Agx(As0,33S0.67-ySey)100-x chalcogenide thin films / J. Orava, T. Wagner, M. Krbal, T. Kohoutek, Mil. Vlcek, P.Klapetek, M. Frumar // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2008. - V.354. - P. 533-539.
Mory T. Dynamics of photodarkening in amorphous As2Se3 films: In situ simultaneous measurement of optical transmittance and photocurrent / T. Mory, N. Hosokawa, K. Shimakawa // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2008. - V.354. - P. 2683-2686.
Mamedov S.B. Dissolution kinetics of glassy and crystalline As2S3 in aqueous sodium sulfide and hydroxide / S.B. Mamedov, M.D. Mikhailov // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1997. - V.221. - P. 181 – 186.
Туряница И.И. Неорганический фоторезист на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников // Полупроводниковые материалы и устройства на их основе для оптоэлектроники / И.И. Туряница, К.И. Пинзеник, Н.П. Фролова - Киев: УМК ВО,1991. - С. 69-74.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2009 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
