Електрон-фотонна емісія As<sub>2</sub>S<sub>3</sub>

Автор(и)

  • М. І. Лінтур Ужгородський національний університет, Україна
  • М. В. Приходько Ужгородський національний університет, Україна
  • Л. М. Маркович Ужгородський національний університет, Україна
  • С. С. Поп Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2009.25.75-78

Анотація

Методом електрон-фотонної спектроскопії досліджено взаємодію електронів середніх енергій з поверхнею плівок As2S3. Пояснено виявлені особливості в отриманих спектрах. Обчислено абсолютний вихід фотонів з поверхні плівок As2S3, напорошених на поверхню кремнію та скла марки К-8, при бомбардуванні електронами з енергією 450 еВ в діапазоні довжин хвиль 200-800 нм, який становить відповідно N1= 7,57*10-4 фот./нм·ел. і N2= 1,75*10-3 фот./нм·ел.

Посилання

Street R.A. Temperature and field dependence of the optical absorption edge in amorphous As2S3 / R.A. Street, T.M. Searle, I.G. Austin, R.S. Sussmann // J. Phys. C: Solid State Phys. – 1974. – Vol. 7, № 8. – P. 1582-1594.

Zallen R. Electronic Structure of Crystalline and Amorphous As2S3 and As2Se3 / R. Zallen, R. E. Drews, R. L. Emerald, M. L. Slade // Phys. Rev. Lett. – 1971. – Vol.26. – P. 1564-1567.

Лінтур М.І. Надвисоковакуумний електрон-фотонний спектрометр / М.І. Лінтур, Л.М. Маркович, В.О. Мастюгін, М.В. Приходько, І.С. Шароді // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2001. – №10. – С. 191-194.

Tanaka K. The charged defect exists / K. Tanaka // J. Optoel. Adv. Mater. – 2001. – Vol. 3, №2. – P. 189-198.

Голомб Р.М. Коливні спектри стекол As(Ge)XS100-X при варіації енергії збуджуючих фотонів та першо-принципні розрахунки властивостей кластерів As(Ge)nSm: дис. ... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Голомб Роман Михайлович. – У., 2007. – 168 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2009-12-24

Номер

Том 25 (2009)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2009 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).