Electron-photon emision of as<sub>2</sub>S<sub>3</sub>

Authors

  • М. І. Лінтур Uzhhorod National University, Ukraine
  • М. В. Приходько Uzhhorod National University, Ukraine
  • Л. М. Маркович Uzhhorod National University, Ukraine
  • С. С. Поп Uzhhorod National University, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2009.25.75-78

Abstract

By the method of electron-photon spectroscopy was investigated interaction medium energy electrons with surface As2S3 films. The revealed features in the received spectra are explained. The absolute output of photons from a surface of As2S3 films, deposited on surface of silicon and K-8 glass, at bombardment by electrons with energy 450 eV in a range of wave-length 200-800 nanometers which makes N1= 7,57*10-4 phot./nm·el. and N2=1,75*10-3  phot./nm·el. is calculated.

References

Street R.A. Temperature and field dependence of the optical absorption edge in amorphous As2S3 / R.A. Street, T.M. Searle, I.G. Austin, R.S. Sussmann // J. Phys. C: Solid State Phys. – 1974. – Vol. 7, № 8. – P. 1582-1594.

Zallen R. Electronic Structure of Crystalline and Amorphous As2S3 and As2Se3 / R. Zallen, R. E. Drews, R. L. Emerald, M. L. Slade // Phys. Rev. Lett. – 1971. – Vol.26. – P. 1564-1567.

Лінтур М.І. Надвисоковакуумний електрон-фотонний спектрометр / М.І. Лінтур, Л.М. Маркович, В.О. Мастюгін, М.В. Приходько, І.С. Шароді // Науковий вісник Ужгородського ун-ту. Серія Фізика. – 2001. – №10. – С. 191-194.

Tanaka K. The charged defect exists / K. Tanaka // J. Optoel. Adv. Mater. – 2001. – Vol. 3, №2. – P. 189-198.

Голомб Р.М. Коливні спектри стекол As(Ge)XS100-X при варіації енергії збуджуючих фотонів та першо-принципні розрахунки властивостей кластерів As(Ge)nSm: дис. ... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Голомб Роман Михайлович. – У., 2007. – 168 с.

Published

2009-12-24

Issue

Section

Статті