Дослідження залежностей електричного опору від тиску кристалів Sn<sub>2</sub>P<sub>2</sub>S<sub>6</sub> в діамантовій камері
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2009.25.79-87Анотація
Проведені виміри залежностей електричного опору від тиску до 3.5 ГПа в діамантовій камері на кристаликах Sn2P2S6 при кімнатній температурі. Встановлено, що R(p) зменшується з тиском. Запропоновані рівняння, якими можна описати залежності R(p), αT(p), EgR (T,p) від тиску для Sn2P2S6. Методом апроксимації, визначені параметри рівнянь та проведено їх аналіз. Виявлені аномалії в баричних залежностях електричного опору, які інтерпретовані, як новий структурний фазовий перехід під тиском в Sn2P2S6 при p≈3GPa.Посилання
Nitsche R., Wild P., Crystal growth of metal-phosphorus-sulfur compounds by vapor transport. - Mat. Res. Bull., 1970, v.5, N6, Р. 419-424.
Klingen W., Ott R., Hahn H. Uber die Darstellung und Eigenschaften von Haxathio – und Hexaselenohy – podiphosphaten. – Z. anorg. allg. Chem. 1973, b. 396, s. 271-278.
Klingen W. Eulenberger G., Hahn H. Uber die kristallstrukturen von Fe2P2Se6 und Fe2P2S6 – Z. anorg. allg. Chem., 1973, b. 401, s. 97-112.
Carpentier C.D., Nitsche R. Vapour growth and crystal data of the thio (seleno) - hypodiphospates Sn2P2S6, Sn2P2Se6, Pb2P2S2, Pb2P2Se6 and their mixed crystals. Mat. Res. Bull., 1974, v. 9, Р. 401-410.
Carpentier C.D., Nitsche R. Ferroelectricity in Sn2P2S6 – Mat. Res. Bull., 1974, v. 9, Р. 1097-1100.
Dittmar G., Herbert Schafer. Die Struktur des Di-Zinn-Hexathiohypodiphosphats Sn2P2S6 – Z. Naturforsch., 1974, b. 29b, N5-6, s. 312-317.
Nitsche R. Crystal chemistry, growth and properties of multi-cation chalcogeni-des. – Journal de physique, 1975, v. 36, N 9, Р. 3-9 – 3-15.
Тягур Ю.И., Фирцак Ю.Ю., Лада Л.В. Реферативно-информационный обзор по материалам AIV2BV2CVI6 (1957 –1991 гг.). – Ужгород: ППП “Патент“, 1992. - 316 с.
Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю. Сегнетоэлектрики семейства Sn2P2S6 . Свойства в окрестности точки Лифшица. – Львов: Изд. Закарпаття, 1994. - 264 с.
Семак Д.Г., Різак В.М., Різак І.М. Фото-термоструктурні перетворення халькогенідів. Монографія. – Ужгород: Закарпаття, 1999. – 392 с.
Різак В.М., Різак І.М., Семак Д.Г. Функціональні халькогенідні напівпро-відники. Монографія. – Ужгород: Закарпаття, 2001. – 152 с.
Vysochanskii Yu., Yanssen T., Currat R., Folk R., Banys J., Grigas J., Samulionis V. Phase transitions in phosphorus chalcogenide crystals. – Vilnius University Publishing House, Vilnius, 2006. – 453 p.
Герзанич О.І. Сегнетоелектрики групи AIV2BV2CVI6 під впливом високого тиску. –Львів: Видавець Сорока Т.Б., 2008. - 124 с.
Тягур Ю.И. Фазовая диаграмма и особенности физических свойств сегнетоэлектрика Sn2P2S6 при высоких гидростатических давлениях: Автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук. – Киев, 1985. – 18 с.
Tyagur Y.I. Spontaneous Polarization in Sn2P2S6 Ferroelectric Single Crystals, Ferroelectrics, v. 345, Р.91-101, (2006).
Тягур Ю.И., Герзанич Е.И. Фазовая р-Т диаграмма сегнетоэлектрика Sn2P2S6. – Кристаллография, том. 29, вып.5, С. 957-962, (1984).
Tyagur Y.I., Jun J. The influence og high hydrostatic pressures on phase transitions temperature in ferroelectric crystals of (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6 family. – Ferroelectrics, v. 192, Р.187-195, (1997).
Tyagur Y.I The peculiarities of ferroelectric p-T phase diagram of Sn2P2S6 crystals. - Ferroelectrics, v. 211, Р. 299-308, (1998).
Герзанич Е.И., Бутурлакин А.П., Тягур Ю.И., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Исследование полупроводниковых свойств сегнетоэллектрических крис-таллов Sn2P2S6 вдоль р-Т диаграммы. – Изв. Вузов Физика, 1980, т. 23, № 9, С. 93-96.
Тягур Ю.И. Зависимость элетри-ческого сопротивления от давления для сегнетоэлектрических кристаллов Sn2P2S6. – Науковий вісник Ужгородського ун-ту, Серія Фізика, № 23, С. 141-153, (2008).
Tyagur Y., Tyagur I. Effect of Pressure on the Electrical Resistance of Sn2P2S6 Semiconductor Ferroelectric Single Crystals, Р. 63. Conference Booklet Joint 21st AIRAPT and 45th EHPRG International Conference on High Pressure Sience and Technology. Catania, Italy, September 17-21, 2007.
Tyagur Y., Tyagur I. Influence of high pressure on the electrical resistance of Sn2P2S6 ferroelectric crystals. – An Int. Journal. High Pressure Research, v. 28, Is. 4, Р. 179-185, (2008).
Tyagur Y., Tyagur I Pressure dependences of electrical resistance of Sn2P2S6 crystals. Models of R(p) dependences. Conference Booklet, Р. 298, XLVIIth EHPRG Conference Paris 2009.
Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V. Appl. Phys. Lett. 90, 122 103 (2007).
Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V. – J. Phys.: Cond. Matter 18, L 551 (2006).
Shchennikov V.V., Ovsyannikov S.V., Dereveskov S.V.,Shchennikov S.V. jr., J. Phys. Chem. Sol. 67, 2203 (2006).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2009 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
