Oптичні властивості плівок Ge–S(Se)–In

Автор(и)

  • Г. Т. Горват Ужгородський національний університет, Україна
  • М. М. Поп Ужгородський національний університет, Україна
  • В. Р. Романюк Інститут фізики напівпровідників ім. В. Лашкарьова, Україна
  • В. М. Різак Ужгородський національний університет, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.72-79

Ключові слова:

Халькогенідні стекла, Тонкі плівки, Оптичні параметри, Ge–S–In, Ge–Se–In

Анотація

Ця стаття присвячена дослідженню оптичних властивостей плівок Ge–S(Se)–In, які були осаджені зі швидкістю 5 нм/ с з використанням термічного випаровування на скляні підкладки з раніше синтезованого матеріалу. Виміряні спектральні, поляризаційні і кутові характеристики тонких плівок в діапазоні довжин хвиль λ=400-1000 нм. Розраховані оптичні параметри плівок різних складів (Ge40S(Se)60)100-xInx.

Посилання

Iga K., Kokubun Y. Encyclopedic handbook of integrated optics. Technology & Engineering. – 2006. - 507 p.

Teteris J., Reinfelde M. Application of amorphous chalcogenide semiconductor thin films in optical recording technologies // Optoelec. & Adv. Mater., 2003. - 5(5), pp. 1355–1360.

Костюкевич С.А., Шепелявый П.Е., Свечников С.В., Москаленко Н.Л., Томчук В.М., Коптюх А.А., Волков А.В., Казанский Н.Л., Костюк Г.Ф. Формирование дифракционных оптических элементов с использованием неорганической лазерной литографии // Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2002. - 4(3). - C. 3–14.

Munzar M., Tichý L., Tichá H. Some optical properties of Ge–S amorphous thin films // Current Appl. Phys., – 2002. – 2. - P. 181–185.

Author(s): N.A. Bakr, M.S. Aziz and M. Hammam. Structural properties of GexSe100-x thin films prepared by semi-closed space technique // Egypt. J. Sol., 2000. - 23( 1). - P. 45-57.

Todorov R., Iliev Tz., Petkov K. Light-induced changes in the optical properties of thin films of Ge–S–Bi (Tl, In) chalcogenides // J. Non-Cryst. Solids. – 2003. - 326&327, P. 263-267.

Saffarini G., Saiter J.M., Schmitt H. The composition dependence of the optical band gap in Ge–Se–In thin films // Optical Materials. – 2007. – 29. - P. 1143 – 1147.

Kumar R., Kumar A., Rangra V.S. A Study of Physical Properties of Ge-Se-In Glassy Semiconductors // Optoelec. & Adv. Mater. – 2010. - 4(10). - P. 1554-1558.

Борец А.Н., Химинец В.В., Туряница И.Д. Сложные стеклообразные халькогениды (получение, свойства и применение). Львов: Вища школа, изд-во при Львовском ун-те, 1987. – 188 с.

Гоглидзе Т.И., Дементьев И.В., Иши¬мов В.М., Сенокосов Э.А. Зависи

мость основных физических свойств пленок стекол (As2S3)x (As2Se3)100-x от скорости их термического напыления // Неорган. материалы. – 2008. - 43(1), C. 97-101.

Dmitruk N.L., Borkovskaya O.Yu., Havrylenko T.S., Naumenko D.O., Petrik P., Meza-Laguna V., Basiuk (Golovataya-Dzhymbeeva) E.V. Effect of chemical modification of thin C60 fullerene films on the fundamental absorption edge // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Opto-electronics. - 2010. - 13(2). - Р. 180-185.

Swanepoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci. Instrum. – 1983. – 16. - Р. 1214-1222.

Tauc J. States in the gap // J. Non-Cryst. Solids. – 1972. - 8-10. - Р. 569-585.

Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. - 658 с.

Todorov R., Iliev Tz., Petkov K. Light-induced changes in the optical properties of thin films of Ge–S–Bi (Tl, In) chalcogenides // J. Non-Cryst. Solids. – 2003. - 326&327, Р. 263-267.

Petkov K. Compositional dependence of the photoinduced phenomena in thin chalcogenide films // Optoelec. & Adv. Mater. – 2002. - 4(3), Р. 611 – 629.

Wemple S.H. and Didomenico Jr. M. Behavior of the Electronic Dielectric Constant in Covalent and Ionic Materials // Phys. Rev. B. – 1971. – 3. - Р. 1338-1351.

Tanaka K. Optical properties and photoinduced changes in amorphous As-S films // Thin Solid Films 66. - 1980. - Р 27100-27900.

Tubbs M.R. A spectroscopic interpretation of crystalline iсonicity // Phys. Stat. Sol. – 1970. - 41(1).-Р. K6100-K64.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-11-25

Номер

Том 34 (2013)

Розділ

Статті

Ліцензія

Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
    1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).