Вплив швидких важких іонів Xe<sup>26+</sup>на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладки сапфіру
DOI:
https://doi.org/10.24144/2415-8038.2013.34.86-91Ключові слова:
Оксид цинку, ZnO, Опромінення, Швидкі важкі іони, Точкові дефектиАнотація
Плівки оксиду цинку, вирощені методом магнетронного осадження при постійному струмі на сапфірових підкладках, опромінювали різними дозами іонів Хе26+ з енергією 167 МеВ. Вихідні та опромінені зразки були досліджені методами рентгенівського структурного аналізу, фотолюмінесценції та спектроскопії резонансного комбінаційного розсіювання світла. Встановлено, що опромінення викликає виникнення дефектів, зменшення розміру областей когерентного розсіювання та зростання інтенсивності дефектної смуги ФЛПосилання
Lashkarev G.V., Karpyna V.A., Lazorenko V.I., Ievtushenko A.I., Shtepliuk I.I., Khranovskyy V.D. Properties of zinc oxide at low and moderate temperatures // Low. Temp. Phys. – 2011. - V.37, №3 – P. 226-234.
Look D.C., Coskun C., Claflin B., Farlow G.C. Electrical and optical properties of defects and impurities in ZnO // Physica B. – 2003. – V.32. - P. 340-342.
Kumar P.M.R., Kartha C.S, Vijayakumar K.P., Singh F., Avasthi D.K. Modifications of ZnO thin films under dense electronic excitation // J. Appl. Phys. – 2005. – V.97. – P. 013509-1-6.
Agarwal D.C., Kumar A., Khan S.A., Kabiraj D., Singh F., Tripathi A., Pivin J.C., Chauhan R.S., Avasthi D.K. SHI induced modification of ZnO thin film: Optical and structural studies // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. – 2006. – V.244. – P. 136-140.
Cullity B.D. Elements Of X-Ray Diffraction // Addison-Wesley Publishing Company, Inc. – 1956. – P. 371.
Singh F., Kulriya P.K., Pivin J.C. Origin of swift heavy ion induced stress in textured ZnO thin films: An in situ X-ray diffraction study // Sol. Stat. Com. – 2010. – V.150. – P. 1751-1754.
Leiter F., Zhou H., Henecker F., Hofstaetter A., Hofmann D.M., Meyer B.K. Magnetic resonance experiments on the green emission in undoped ZnO crystals // Physica B. – 2001. – V.308–310. – P. 908–911.
Kohan A.F., Ceder G., Morgan D., Van de Walle C.G. First-principles study of native point defects in ZnO // Phys. Rev. B. – 2000. – V.61. – P. 15019-15027.
Korsunska N.O., Borkovska L.V., Bulakh B.M., Khomenkova L.Yu., Kushnirenko V.I., Markevich I.V. The influence of defect drift in external electric field on green luminescence of ZnO single crystals // J. Lumin. – 2003. – V. 102–103. – P. 733–736.
Matsumoto T., Kato H., Miyamoto K., Sano M., Zhukov E.A., Yao T. Correlation between grain size and optical properties in zinc oxide thin films // Appl. Phys. Lett. – 2002. – V.81. – P. 1231-1233.
Khranovskyy V., Yazdi G.R., Lashkarev G., Ulyashin A., Yakimova R. Investigation of ZnO as a perspective material for photonics // Phys. Stat. Sol. (a). – 2008. – V. 205, N.1 – P. 144–149
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2013 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
