Тунелювання електронів крізь нестаціонарний, несиметричний тунельний перехід

Автор(и)

  • D. Abdulkadyrov Інститут радіофізики и електроніки НАН України, Україна
  • N. Beletskii Інститут радіофізики и електроніки НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.24144/2415-8038.2011.29.18-25

Ключові слова:

магнітний опір, тунельний перехід.

Анотація

Магнітні тунельні переходи мають гігантський магнітний опір при кімнатній температурі. Великий інтерес викликає дослідження високочастотних властивостей магнітних тунельних переходів, що знаходяться під дією постійних та змінних напруг зсуву. Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в нестаціонарних магнітних тунельних переходах, має велике значення для створення нових типів високочастотних спінтронних приладів.

Посилання

Gribnikov Z.S., Haddad G.I. Differential

tunnel transparency of a rectangular

heterostructural barrier for the terahertz

frequency range, J. Appl. Phys., vol. 97,

No. 9, (2005). p. 093705(1)-093705(5).

Gribnikov Z.S., Haddad G.I. Timedependent

electron tunneling through

time-dependent tunnel barriers, J. Appl.

Phys., vol.96, No. 7. (2004) - P. 3831-

Büttiker M., Landauer R. Transversal

time for tunneling, Phys. Rev. Lett.,

vol. 49, No. 23. (1982), P. 1739-1742.

Пашковский А.Б. Нестационарная

теория возмущений для задач о про-

хождении электронов через квантово-

размерные структуры в высокочастотных полях, Физика и техн.Полупроводников, vol. 29, № 9. (1995),C. 1712-1726.

Maekawa S. Concepts in Spin Electronics,

(New York: Oxford University Press

P. 398.

Ryzhii M. and Ryzhii V. Physics and

modeling of tera-and nano-devices. (New

Jersey: World Scientific, 2008).

Абдулкадыров Д.В., Белецкий Н.Н.,

Радиофизика и электроника, том 14,

№2. (Харьков, Институт радиофизики и лектроники НАН Украины, 2009),C. 190-197.

Абдулкадыров Д.В., Белецкий Н.Н.

Радиофизика и электроника, том 13,

№2., (Харьков, Институт радиофизики

и электроники НАН Украины, 2008),

C. 218-226

Abdulkadyrov D.V., Beletskii .N.,Telecommunications and RadioEngineering, vol. 68(11), (2009), P. 983-

Chien W.C., Lo C.K. and Hsieh L.C., Yao Y.D., Han X.F. and Zeng Z.M.,Peng T.Y. and Lin P., Appl. Phys. Lett.,vol. 89, (2006), P. 202515.

Tsu R., Esaki L., Appl. Phys. Lett,

vol. 22, № 11, (1973), P. 562-564.

##submission.downloads##

Опубліковано

2011-06-30

Номер

Розділ

Статті